Время - жизнь - неосновной носитель
Cтраница 1
Время жизни неосновных носителей в транзисторе различно для различных объемов транзистора, таких, как активная область базы, пассивная, периферийная или соединительная область базы; тело коллектора. [1]
Время жизни неосновных носителей тем больше, чем выше температура, а это также приводит к возрастанию коэффициентов а. Однако этот эффект вообще слаб по сравнению с первым. [2]
Время жизни неосновных носителей более чувствительно к облучению, чем удельная электропроводность. Если, например, ввести избыток дырок в полупроводник тг-типа ( в этом случае дырки являются неосновными носителями, а электроны - основными), то они исчезнут в результате рекомбинации с электронами, но это произойдет не мгновенно. Среднее время, необходимое для рекомбинации неосновного носителя с основным, называется временем жизни неосновного носителя. Эти свойства особенно важны во многих полупроводниковых приборах, особенно в транзисторах. Механизм рекомбинации определяется примесями и другими типами дефектов. В приведенном выше примере дырки ж электроны рекомбинируют после захвата дефектами, которые называют центрами рекомбинации. Очень эффективными центрами рекомбинации являются вакансии и междоузлия. [3]
Время жизни неосновных носителей, а также расстояние, на которое они могут распространиться в полупроводнике ( диффузионная длина), оказывают большое влияние на частотные характеристики полупроводниковых приборов, в основе действия которых лежат свойства р - - перехода. [4]
Времена жизни неосновных носителей цр и тп постоянны и не зависят от режима. [5]
Если время жизни неосновных носителей меньше времени жизни основных, то тогда числитель в выражении для биполярной подвижности с ростом концентрации может сменить знак. В области концентраций, при которых цб Д в полупроводнике возникают электрические нестабильности. [6]
Измерение времени жизни неосновных носителей, которое имеет огромное значение для всестороннего объяснения процесса фотопроводимости, имеет такое же значение и для облегчения понимания фотокаталитических явлений. Марк [44] ясно показал их значимость при изучении адсорбции кислорода на сульфиде кадмия. Наиболее широко, пожалуй, используется метод, в котором изучается спад фототока после освещения соответствующего образца кратковременным интенсивным световым импульсом. [7]
Под временем жизни неосновных носителей понимают время, в течение которого добавочная, неравновесная концентрация после исчезновения фактора, вызвавшего ее, уменьшается в е раз. Величина времени жизни имеет важное значение для работы полупроводниковых приборов. [8]
 |
Расчетные зависимости скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии и критического заряда включения тиристора от сопротивления шунтировки перехода / з. [9] |
Чем больше времена жизни неосновных носителей и меньше толщины базовых слоев, тем больше коэффициенты переноса неосновных носителей через эти слои и меньше критический заряд включения, а следовательно, ниже с / м / е - стойкость тиристора. [10]
Что касается времени жизни неосновных носителей: , то оно имеет смысл, когда концентрации электронов и дырок сильно различны, и по определению совпадает с временем жизни тех носителей, концентрация которых меньше. [11]
Как видим, время жизни неосновных носителей увеличивается у мощных диодов, а в группе примерно одинаковой мощности - у германиевых по сравнению с кремниевыми. [12]
 |
Включение полевого транзистора с р - я-переходом ( а. [13] |
Одновременно происходит уменьшение времени жизни неосновных носителей. Поскольку полевые транзисторы нечувствительны к изменению времени жизни неосновных носителей, их параметры меньше меняются при действии радиации, чем параметры биполярных транзисторов. Из полевых транзисторов более стабильны по отношению к радиации МДП-транзисторы. Это обусловлено тем, что у полевых транзисторов с р-я-переходом, кроме проводимости канала, меняется еще и обратный ток р - - перехода, а соответственно и входное сопротивление. Дополнительную стойкость к радиации в МДП-транзисторах создает экранировка области канала металлическим электродом затвора. [14]
 |
Пленочный полевой триод. [15] |
Страницы: 1 2 3 4