Время - жизнь - неосновной носитель
Cтраница 3
Из этого выражения следует, что с уменьшением времени жизни неосновных носителей обратный ток р - n - перехода увеличивается. [31]
Времена tv и t2 определяются размерами транзистора, временем жизни неосновных носителей в базе и прямым током эмиттера. Аналогичную форму ( рис. 3.14 6) имеет / к и при работе транзистора в схеме с ОЭ. Таким образом, в усилителе импульсов на транзисторе происходит искажение фронтов импульса и его расширение. Для уменьшения этих изменений необходимо улучшать частотные характеристики транзистора. [32]
Зависимость В от температуры обусловлена главным образом температурной зависимостью времени жизни неосновных носителей в области базы. Поскольку с повышением температуры замедляются процессы рекомбинации, обычно наблюдается рост коэффициента усиления транзистора по току. [33]
 |
Структура транзистора изготовления коллектора И диода, с переходом Шоттки шунтирующего переход коллектор. [34] |
Время накопления неравновесных носителей в базе диода зависит от времени жизни неосновных носителей. Для снижения времени накопления применяется диффузия золота. При этом время жизни неосновных носителей составляет примерно 10 не. Однако диффузия золота снижает коэффициент усиления и транзисторы могут иметь большую задержку включения. [35]
Основной эффект воздействия радиации на полупроводниковые приборы - уменьшение времени жизни неосновных носителей - практически не изменяет туннельную ветвь ВАХ туннельных диодов, так как туннельный ток не зависит от времени жизни неосновных носителей. [36]
Все три указанных выше метода измерения диффузионной длины и времени жизни неосновных носителей применимы, если значения диффузионной длины составляют не менее 10 мкм, а значения времени жизни - не менее 0 1 мкс. Однако в поликристаллических тонких пленках диффузионная длина неосновных носителей очень мала, и ее значения, как правило, не превышают 1 мкм. Поэтому обычными методами, которые были здесь рассмотрены, измерить диффузионную длину довольно трудно. [37]
Такой результат объясняется снижением скорости поверхностной рекомбинации и повышением времени жизни неосновных носителей вблизи лицевой поверхности, что облегчает процесс собирания коротковолновых носителей заряда при относительно близком расположении р - / г-перехода к поверхности. Однако в такой структуре из-за возрастания удельного сопротивления и уменьшения толщины фронтального слоя увеличивается сопротивление растекания, что затрудняет реализацию этого подхода для создания СЭ, предназначенных для преобразования концентрированного солнечного излучения. [39]
И только при длительностях импульсов, во много раз превышающих время жизни неосновных носителей, процессы в транзисторном блокинг-генераторе качественно аналогичны процессам, происходящим в ламповом блокинг-генераторе. [40]
Уничтожение инжектированных носителей путем рекомбинации происходит за большое время, превышающее время жизни неосновных носителей. Если, не дожидаясь конца этого процесса, снова подать напряжения на затворы элемента, то оставшиеся носители собираются потенциальной ямой, что недопустимо. Таким образом, быстродействие устройства оказывается низким. Кроме того, расстояние между соседними ячейками должно быть больше диффузионной длины неосновных носителей. [41]
Это объясняется тем, что время выключения согласно (3.55) пропорционально времени жизни неосновных носителей ( дырок) в базе / г-типа, которое увеличивается с повышением температуры. [43]
Температурная зависимость сопротивления коллекторного перехода гк определяется главным образом изменением времени жизни неосновных носителей. Как правило, сопротивление гк максимально при комнатных температурах. [44]
 |
Конструктивные схемы фототранзисторов. [45] |
Страницы: 1 2 3 4