Время - жизнь - неосновной носитель
Cтраница 2
Как упоминалось выше, время жизни неосновных носителей в поликристаллических полупроводниковых пленках чрезвычайно мало. [16]
Температурная зависимость обусловлена изменением времени жизни неосновных носителей в базе. [17]
Следовательно, в этом случав время жизни неосновных носителей - дырок - тро зависит только от числа центров Nt и величины у2, определяющей вероятность захвата дырки одним центром. Как правило, у2 слабо зависит от температуры, поэтому тро также практически постоянно. [18]
К основным недостаткам GaAs относятся очень низкие времена жизни неосновных носителей. Влияние излучения на устройства из GaAs изучено очень мало. [19]
Величина ее определяется эффективным значением времени жизни неосновных носителей в базе. [20]
Следует отметить, что сокращение времени жизни неосновных носителей должно сопровождаться уменьшением толщин базовых областей, так как в противном случае условие переключения aj а2: г 1 может не выполняться вследствие снижения коэффициентов передачи Oj и а2 - При этом напряжение включения тиристора падает. Если же толщины базовых областей изменяются мало, то возрастают постоянный отпирающий ток управляющего электрода, а также время включения, падение напряжения на открытом тиристоре и удерживающий ток. [21]
Электролюминесценция была использована для определения времен жизни неосновных носителей в SiC Харманом и Рейбол-дом [300], которые исследовали зависимость интенсивности люминесценции от частоты приложенного электрического напряжения. [22]
 |
График типичной зависимости ff от / к интегрального транзистора п-р-п-тпа. [23] |
Значение тв приблизительно совпадает со значением времени жизни неосновных носителей в базе. [24]
Уменьшение времени выключения требует соответствующего уменьшения времен жизни неосновных носителей в базах тиристора, особенно в толстой высокоомной базе, а также повышения эффективности технологической шунтировки катодного перехода. [25]
 |
Схема по - [ IMAGE ] - 10. Схема при. [26] |
Таким образом, решающим моментом, снижающим время жизни неосновных носителей, является наличие примесей в объеме полупроводника, несовершенства его структуры и загрязнения поверхности. [27]
Вследствие этого изменяются параметры полупроводниковых материалов - время жизни неосновных носителей т, удельная проводимость ( р) и скорость поверхностной рекомбинации дырок с электронами. [28]
Таким образом, любые радиационные нарушения уменьшают время жизни неосновных носителей и приводят к заметному ухудшению работы полупроводниковых приборов, требующих относительно большого времени жизни, например транзисторов и мощных выпрямителей. Эффективность центров рекомбинации, возникших при облучении, существенно различается в зависимости от материала полупроводника. Например, дефекты в кремнии, облученном нейтронами, оказываются приблизительно в 10 раз эффективнее, чем дефекты в германии, даже с учетом большей скорости образования дефектов в кремнии. [29]
Анализ, проведенный в § 14 для времени жизни неосновных носителей, пригоден также и в том случае, когда времена жизни электронов и дырок неодинаковы. Время жизни основных носителей в этом случае не равно времени жизни неосновных носителей и должно быть вычислено отдельно. [30]
Страницы: 1 2 3 4