Время - жизнь - неосновной носитель
Cтраница 4
Поэтому постоянная времени фотодиода и его частотные характеристики определяются не временем жизни неосновных носителей, а временем их диффузии до p - n - перехода. [46]
Наиболее, эффективной является конструкция элементов на основе материала с высоким временем жизни неосновных носителей, в которой используются тыльные контакты типа гребенка в гребенке и прозрачный слой SiO2 на освещаемой поверхности, снижающий скорость поверхностной рекомбинации носителей. Разделение носителей происходит на тыльной поверхности. [47]
Протекающий через тиристор ток определяет накапливаемый в приборе заряд, а время жизни неосновных носителей ( дырок) т - скорость исчезновения заряда. [48]
Как следует из изложенного, для повышения быстродействия тиристоров необходимо уменьшать время жизни неосновных носителей в базах. Уменьшение времени жизни приводит к большим значениям падения прямого напряжения на тиристоре и снижению допустимого прямого тока. Уменьшение падения прямого напряжения за счет уменьшения ширины баз приводит к снижению максимального напряжения переключения. Таким образом, улучшение быстродействия вызывает ухудшение энергетических параметров и наоборот. [49]
Одно из наиболее важных приложений методов измерения фотопроводимости связано с определением времени жизни неосновных носителей по затуханию фотопроводимости. Генерация избыточных носителей заряда происходит при облучении образца светом с энергией фотонов, превышающей ширину запрещенной зоны. [50]
При больших токах базы BN уменьшается из-за уменьшения эффективности эмиттера и времени жизни неосновных носителей в базе. [51]
При высоких уровнях инжекции, когда рекомбинационные центры стремятся к насыщению, время жизни неосновных носителей в базовой области может возрасти и привести к росту а. Этот эффект может принести пользу, если его использовать как средство переключения р-п - р - - прибора. [52]
Создание симметричных структур ( с одинаковыми толщинами баз) при одновременном уменьшении времени жизни неосновных носителей приводит к повышению быстродействия. Но статические параметры симметричной структуры хуже, чем несимметричной; кроме того, симметричную структуру в технологическом отношении изготовить значительно сложнее. [53]
Величины коэффициентов а при изменении тока эмиттера могут меняться в зависимости от времени жизни неосновных носителей, степени легирования и геометрии. [54]
Снова отношение / 2 / / i оказывается важной характеристикой управления, и время жизни неосновных носителей является существенным параметром прибора. [55]
Как и в предыдущем случае, по наклону экспериментальна полученной прямой можно определить время жизни неосновных носителей. [56]
Для уменьшения тока насыщения удельное сопротивление коллекторной области должно быть мало, а время жизни неосновных носителей ( дырок) в ней велико. Кроме того, желательно, чтобы площадь поперечного сечения кристалла была небольшой, достаточной лишь для рассеяния тепловой мощности и удовлетворения механическим требованиям. Однако условия получения п-р - п структур в процессе выращивания монокристалла германия практически ограничивают минимально возможное значение удельного сопротивления коллекторной области рс. С учетом допустимых экспериментальных погрешностей при получении заданного удельного сопротивления базовой области р & величина ( NA - ND) в базовой области должна быть примерно того же порядка, как ( ND - NA) в коллекторной области. [57]
 |
Характер зависимости напряжения переключения от скорости нара. [58] |
Величина напряжения переключения С / пер при воздействии dua / dt зависит от времени жизни неосновных носителей в кремнии, от величины duajd t и от температуры структуры. [59]
Страницы: 1 2 3 4