Время - жизнь - неосновной носитель - заряд
Cтраница 1
Время жизни неосновных носителей заряда, инжектируемых в кристалл ПП ( т), в сильной степени зависит от концентрации ловушек ( см. Рекомбинация носителей заряда), к-рыми носители захватываются и перестают участвовать в проводимости. При очень высоких уровнях инжокции может наступить насыщение ловушек, вследствие чего т увеличится: соответственно возрастает и электропроводность кристалла. [1]
Время жизни неосновных носителей заряда, инжектируемых в кристалл ПП ( т), в сильной степени зависит от концентрации ловушек ( см. Рекомбинация носителей заряда), к-рыми носители захватываются и перестают участвовать в проводимости. При очень высоких уровнях инжекции может наступить насыщение ловушек, вследствие чего т увеличится: соответственно возрастает и электропроводность кристалла. [2]
Время жизни неосновных носителей заряда является важным электрофизическим параметром конкретного полупроводникового материала и указывается в технических условиях. К сожалению, значения т в процессе изготовления полупроводникового прибора сильно меняются и, как правило, уменьшаются. Диапазон возможных значений т в кремнии велик и простирается от единиц наносекунд до сотен микросекунд. Экспериментально установлено, что значения т коррелируют с суммарной концентрацией легирующих примесей NX ND - - A, и они тем меньше, чем больше N s Имеется много эмпирических формул, аппроксимирующих эту зависимость. [3]
 |
Растворимость As в жидком галлии [ Shen. / California, Stanford. Thesis, Dep. Electr. Eng., 1976 ]. [4] |
Времена жизни неосновных носителей заряда в слоях, выращенных методами жидкофазной эпитаксии и химического осаждения из паровой фазы, близки. Оба метода применимы также для получения кристаллических пленок GaAs на аморфных подложках. [5]
Какими методами измеряют время жизни неосновных носителей заряда. [6]
Как известно, время жизни неосновных носителей заряда в полупроводнике с нарушениями структуры, как это имеет место в приповерхностном слое после механической обработки, весьма мало. [7]
Однако значительное уменьшение времени жизни неосновных носителей заряда приводит к возрастанию прямого падения напряжения на силовом вентиле в связи с ухудшением эффекта модуляции сопротивления базовой области прибора. Возрастающие при этом потери увеличивают нагрев вентиля и снижают его нагрузочную способность. [8]
Дислокации уменьшают величину времени жизни неосновных носителей заряда. Кроме того, они оказывают большое влияние на процессы вплавления и диффузии. [9]
Это позволяет резко сократить время жизни неосновных носителей заряда, а тем самым и время переключения транзистора. [10]
При этом будет уменьшено время жизни неосновных носителей заряда. [11]
При этом будет уменьшено время жизни неосновных носителей заряда. [12]
Вследствие сильного термического разогрева время жизни неосновных носителей заряда в при-контактной области сильно уменьшается. [13]
Измерить удельное сопротивление и время жизни неосновных носителей заряда в тонком базовом слое триода с п-р - п переходом чрезвычайно трудно. [14]
При этом будет уменьшено время жизни неосновных носителей заряда. Однако наряду с высоким быстродействием такие транзисторы обладают и рядом недостатков. Во-первых, коэффициенты передачи тока у них оказываются меньше из-за более интенсивной рекомбинации неосновных носителей в базе транзистора. Во-вторых, обратный ток коллектора у них оказывается больше из-за более интенсивной тепловой генерации носителей заряда в электронно-дырочном переходе коллектора и в прилегающих к нему областях базы и коллектора. В-третьих, у них оказывается большая зависимость времени рассасывания от температуры из-за сильной зависимости времени жизни от температуры. [15]
Страницы: 1 2 3 4