Время - жизнь - неосновной носитель - заряд
Cтраница 4
Одним из методов защиты поверхности плоскостных триодов является обработка, направленная на увеличение времени жизни неосновных носителей заряда на поверхности триода. [46]
Следовательно, заряд в транзисторе в установившемся режиме пропорционален току / б и времени тн жизни неосновных носителей заряда в насыщенном. [47]
 |
Параметры вольтамперной. [48] |
В туннелировании участвуют только основные носители заряда, поэтому инерционность приборов не связана с временами жизни неосновных носителей заряда. [49]
Исходный полупроводниковый монокристалл должен обладать требуемыми физическими свойствами ( тип электропроводности, удельное сопротивление, время жизни неосновных носителей заряда, ширина запрещенной зоны, коэффициент теплопроводности), иметь заданную ориентацию кристаллографических осей, структурное совершенство, однородное распределение загрязняющих примесей и быть технологичным как при его получении, так и при производстве приборов. [50]
Если материал для приборов имеет несколько р-п переходов, то необходимо задать удельное сопротивление и время жизни неосновных носителей заряда в каждой из областей, разделенных р-п переходом ( фиг. [51]
Первой производственной операцией является проверка качества германия, производимая на основании измерения удельного сопротивления и времени жизни неосновных носителей заряда, так как именно эти параметры определяют объемные свойства полупроводника. [52]
Изменение электрофизических свойств локальных областей полупроводника ( типа электропроводности, удельного сопротивления, диффузионной длины и времени жизни неосновных носителей заряда) достигается путем легирования, или контролируемого введения примесных атомов. В технологии изготовления полупроводниковых ИМС для легирования кремния обычно применяют два метода - диффузию атомов примесей и внедрение ускоренных ионов. [53]
Пластинку германия для поверхностно-барьерного триода вырезают из монокристалла германия электронной проводимости, имеющего соответствующее удельное сопротивление и относительно высокое время жизни неосновных носителей заряда. Затем пластинку шлифуют до требуемой толщины. [54]
Однако выражение ( 1) не учитывает влияния на разрешающую способность сканистора параметров эмиттерной области, величины времени жизни неосновных носителей заряда, а также того факта, что величина прикладываемого напряжения, в случае малой толщины базовой области будет определяться условием перекрытия базовой области областью объемного заряда. [55]
Страницы: 1 2 3 4