Время - жизнь - неосновной носитель - заряд
Cтраница 3
Таким образом, диффузионная емкость зависит только от времени жизни неосновных носителей заряда в базе р-я-перехода и величины прямого тока. [31]
Скорость охлаждения определяется требованиями, предъявляемыми к сохранению времени жизни неосновных носителей заряда в кремнии. Однако для большинства выпрямителей то время жизни, которое сохраняется даже при быстром охлаждении с высоких температур, оказывается достаточным. [32]
 |
Зависимость подвижности неосновных носителей заряда от температуры закалки германия. [33] |
При изменении температуры закалки от 823 до 1023 К время жизни неосновных носителей заряда уменьшается примерно в 50 раз. Если после закалки произвести отжиг при температуре более низкой, чем температура превращения, то т увеличивается и может достигать первоначального значения. [34]
Кроме того, этот слой обрабатывается так, чтобы время жизни неосновных носителей заряда в нем было по возможности малым. [35]
Температурная зависимость р связана в первую очередь с возрастанием времени жизни неосновных носителей заряда в базе транзистора при увеличении температруы. [36]
Диффузию золота в полупроводниковые материалы широко используют для уменьшения времени жизни неосновных носителей заряда в исходном материале полупроводника. [37]
 |
Различные типы обратных участков вольт-амперных характеристик р - n - переходов ( изображены схематично. [38] |
Скорость рекомбинации равна An / т, где т - время жизни неосновных носителей заряда. [39]
Таким образом, величина / s обратно пропорциональна корню квадратному из времени жизни неосновных носителей заряда. [40]
Рекомбинация носителей заряда в полупроводниковом материале характеризуется величиной, которая называется временем жизни неосновных носителей заряда. [41]
Частотные характеристики диодов улучшаются при уменьшении площади выпрямляющего контакта и при снижении времени жизни неосновных носителей заряда. [42]
 |
Схема четырехзон-дового метода измерения удельного сопротивления полупроводника. [43] |
Наряду с удельным сопротивлением не менее важным параметром полупроводника с монокристаллической структурой является время жизни неосновных носителей заряда 1 или длина их диффузии L. Существует много способов измерения времени жизни неосновных носителей заряда, каждый из которых имеет свои преимущества и недостатки. [44]
Следует иметь в виду, что величины В и б являются функциями как времени жизни неосновных носителей зарядов в полупроводнике, так и геометрии прибора, так как обе эти величины зависят от плотности тока неосновных носителей заряда, если эта плотность сравнима с плотностью тока основных носителей. [45]
Страницы: 1 2 3 4