Время - жизнь - неосновной носитель - заряд
Cтраница 2
 |
Схема установки для измерения времени жизни неосновных носителей заряда. [16] |
Существует много способов измерения времени жизни неосновных носителей заряда, каждый из которых имеет свои преимущества и недостатки. [17]
Lp), уменьшение времени жизни неосновных носителей заряда незначительно влияет на длительность процесса выключения. [18]
Существует несколько способов измерения времени жизни неосновных носителей заряда. [19]
ТР, которая называется временем жизни неосновных носителей заряда - дырок в электронном полупроводнике или электронов в дырочном полупроводнике. [20]
В работе рассмотрен вопрос о времени жизни неосновных носителей заряда и изложена теория механизма рекомбинации через локальные центры захвата. [21]
 |
Импульсы тока ( а и напряжения ( б на образце. [22] |
В данной работе для определения времени жизни неосновных носителей заряда используется явление модуляции проводимости образца при введении в него неравновесных носителей заряда. [23]
Термообработка оказывает существенное влияние и на время жизни неосновных носителей заряда. Однако во многих случаях эти изменения удается предотвратить. С этой целью применяются: предварит, обработка поверхности образцов спец. В, медленное охлаждение образцов после отжига, использование гетерирующих окислов, напр. [24]
Единственным недостатком диффузии является некоторое уменьшение времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводнике из-за неизбежной при диффузии термообработки. Однако уже найдены способы ослабления этого эффекта. Кроме того, путем диффузии можно получать очень тонкие базовые области, что делает влияние термообработки менее существенным. [25]
Диффузионная длина определяется коэффициентом диффузии и временем жизни неосновных носителей заряда; она зависит от уровня легирования полупроводника и для различных полупроводниковых материалов находится в пределах от 10 - 5 см до нескольких миллиметров. [26]
 |
Структурная схема метода модуляции проводимости. [27] |
Метод модуляции проводимости в точечном контакте позволяет измерять время жизни неосновных носителей заряда т на слитках германия и кремния с удельным сопротивлением 10 1 - 103 Ом - см. Интервал измеряемых с погрешностью до 30 % значений т составляет 3 - 500 мкс. Металлический-зонд, создающий точечный инжектирующий контакт, опускается на плоскую протравленную поверхность ( торец, или измерительная дорожка) слитка полупроводникового материала. Второй контакт осуществляется держателем образца и имеет большую площадь. [28]
 |
Зависимость тока от времени для импульсного диода. [29] |
Время / х зависит в первую очередь от времени жизни неосновных носителей заряда в базе. Поэтому для импульсных диодов применяют материалы с малым т, что достигается легированием их примесями, образующими центры рекомбинации. Такими являются германий и кремний с примесью золота. [30]
Страницы: 1 2 3 4