Время - жизнь - неравновесный носитель - заряд
Cтраница 1
Время жизни неравновесных носителей заряда зависит от УЭС слитков. [1]
Время жизни неравновесных носителей заряда зависит от номинального УЭС слитка и для электронного типа электрической проводимости составляет ( в икс: для номинального УЭС от 0 01 до 0 5 Ом - м - не менее 400ри; св. [2]
Время жизни неравновесных носителей заряда еависит от УЭС слитков. [3]
Время жизни неравновесных носителей заряда зависит от температуры полупроводника. При этом первый этап рекомбинации ( захват дырки рекомби-национной ловушкой) происходит быстро, и время жизни оказывается небольшим. С повышением температуры уровень Ферми смещается вниз и находится вблизи энергетических уровней рекомби-национных ловушек. Поэтому с повышением температуры время жизни растет. [4]
Время жизни неравновесных носителей заряда определяется процессами излучательной и безызлучательной рекомбинации и как параметр полупроводникового материала характеризуется наибольшей чувствительностью к примесям и дефектам структуры, а также к особенностям технологии получения и термообработки полупроводникового материала. [5]
 |
Пояснение температурной зависимости времени жизни. [6] |
Время жизни неравновесных носителей заряда зависит от температуры полупроводника. При этом первый этап рекомбинации ( захват дырки рекомбинационной ловушкой) происходит быстро и время жизни оказывается небольшим. С повышением температуры уровень Ферми смещается вниз и находится вблизи энергетических уровней рекомбинационных ловушек. Поэтому с повышением температуры время жизни растет. [7]
Для снижения времени жизни неравновесных носителей заряда осуществляется диффузия золота в кристалл полупроводника, создающая уровни ловушек. [8]
Для снижения времени жизни неравновесных носителей заряда в германий вводятся атомы золота. После получения диффузионной структуры кристаллы припаиваются к держателю 4 оловянным припоем с присадкой сурьмы. Со свободной стороны кристалла стравливается и-слой 3 и для получения хорошего омического контакта в обнаженную р-область вплавляются индиевые шарики 1 диаметром около 300 мк. Меза-структура получается глубоким химическим травлением кристалла с омическим контактом в смеси пергид-роли со щелочью. При этом стравливаются все диффузионные слои на незащищенной части поверхности кристалла. [9]
Что называется временем жизни неравновесных носителей заряда. [10]
Предполагалось, что время жизни неравновесных носителей заряда велико по сравнению со средним временем между соударениями и носители не вырождены. [12]
 |
Зависимость In т от. [13] |
Таким образом, время жизни неравновесных носителей заряда определяется только природой центров рекомбинации, оно не зависит от концентрации основных и неосновных носителей заряда. [14]
Как связаны между собой время жизни неравновесных носителей заряда п их эффективное сечение захвата. [15]
Страницы: 1 2 3 4