Время - жизнь - неравновесный носитель - заряд
Cтраница 3
Таким образом, неравновесное состояние после, прекращения внешнего воздействия релаксирует с некоторой характерной величиной т, которая носит название релаксационного времени жизни неравновесных носителей заряда, или просто времени жизни. Величина ту численно равна времени, по истечении которого избыточная концентрация уменьшается в е раз. Легко видеть, что т представляет собой среднее время существования избыточной концентрации. [31]
Качество монокристаллрв кремния, используемых для производства приборов, оценивается по существующим стандартам и техническим условиям следующими параметрами: типом электропроводности; величиной и однородностью распределения УЭС; временем жизни неравновесных носителей заряда; подвижностью и концентрацией носителей заряда; кристаллографическим направлением, по которому выращен монокристалл ( ориентация); структурными дефектами; концентрацией примесей. [32]
При высоком уровне возбуждения, когда избыточная концентрация носителей заряда сравнима с концентрацией основных носителей заряда, значениями Дп и Др в (3.2) нельзя пренебречь по сравнению с суммой П0 р0; время жизни неравновесных носителей заряда не будет постоянной величиной; решения уравнений ( 3.1 а), (3.16) примут иной, неэкспоненциальный вид. [33]
УУФ - число фотонов, падающих на единичную поверхность полупроводника в единицу времени ( оно может быть определено как мощность падающего на единичную поверхность излучения, отнесенное к энергии фотона hv) - ч - время жизни неравновесных носителей заряда. [34]
Пример условного обозначения слитков: 1А1 кц КДБ 7 5 / 2 5 - 76 ТУ 48 - 4 - 295 - 82, где 1А1 - подгруппа марок; кц - индексы дополнительных требований; КДБ - монокристаллический слиток кремния, выращенный по методу Чохральского, дырочного типа электрической проводимости, легированный бором; 7 5 - номинал удельного электрического сопротивления, Ом-см; 2 5 - время жизни неравновесных носителей заряда, мкс; 76 - диаметр, мм. [35]
Но рекомбинация может происходить не только в объеме, но и на поверхности полупроводника, а скорость ее протекания может быть различной даже в одном и том же типе полупроводника. Время жизни неравновесных носителей заряда в германии и кремнии может составлять широкий диапазон значений ( от долей микросекунды до тысяч микросекунд) в зависимости от количества и типа примеси, а также от состояния и чистоты поверхности. Последнее объясняется тем, что на поверхности полупроводника всегда имеются различные дефекты структуры, а также пленки окислов и молекулы адсорбированных газов, которые могут образовывать большое число локальных уровней, вызывающих интенсивный процесс рекомбинации электронно-дырочных пар. [36]
Время жизни неравновесных носителей заряда определяется двумя членами, которые связаны с временами захвата дефектом свободного носителя заряда тр0 и тл0 соответственно. [37]
 |
Зависимость 1п т от положения уровня Ферми в запрещенной зоне. [38] |
Время жизни неравновесных носителей заряда определяется двумя членами, которые связаны с временами захвата дефектом свободного носителя заряда Тр0 и т 0 соответственно. Помимо вероятности захвата, которая зависит от природы реком-бинационных ловушек и их концентрации Nh время жизни зависит от избыточной концентрации носителей заряда on и бр. [39]
Фазовый метод измерения времени жизни неравновесных носителей заряда в эпитаксиальных слоях, нанесенных на подложку того же типа электропроводности, основан на измерении сдвига фаз между возбуждающим модулированным по интенсивности светом и фототоком, протекающим через контакт Шотки, созданный на поверхности эпитаксиального слоя. Метод применим для определения времени жизни в слоях, толщина которых больше диффузионной длины. [40]
Слиткн монокристаллнческого кремния марки БО имеют диаметр 54 0 05 мм, длину не менее 100 мм. Ом - м, время жизни неравновесных носителей заряда не менее 70 мкс. [41]
Поскольку избыточный неравновесный заряд в базе рассасывается не мгновенно, то напряжение ( Упри тах снижается до 1 2 i / пр. Наиболее эффективным способом снижения / Уст является уменьшение толщины базы и времени жизни неравновесных носителей заряда. При этом также уменьшаются емкость Сд и обратный ток диода. [42]
Предельное отклонение плоскости торцового среза монокристаллических слитков от плоскости ориентации не должно превышать 3 Номинальные диаметры слитков 62 5, 78 513 и 102 51, мм. Слитки кремния с удельным электрическим сопротивлением более 0 03 Ом - м должны иметь время жизни неравновесных носителей заряда: для электронного типа электрической проводимости - не менее 7 5 мкс, для дырочного - не менее 2 5 мкс. [43]
 |
Зависимость Jo / h от а - для образца толщиной 10 мкм при различных значениях диффузионной длины. [44] |
Измерение времени затухания фотопроводимости, так же как и ее стационарного значения, используется для определения ре-комбинационных параметров полупроводников. Метод затухания фотопроводимости наряду с методом модуляции проводимости является одним из основных методов измерения времени жизни неравновесных носителей заряда. Метод затухания фотопроводимости позволяет измерять время жизни носителей заряда на образцах различных полупроводниковых материалов в интервале от нескольких микросекунд до единиц миллисекунд при точности 20 %, а также скорость поверхностной рекомбинации и коэффициент диффузии. [45]
Страницы: 1 2 3 4