Время - жизнь - неравновесный носитель - заряд
Cтраница 4
Для увеличения времени жизни необходимо уменьшить число глубоких уровней, т.е. полупроводник должен быть химически чистым и иметь совершенную кристаллическую структуру. Именно от этого зависит не только хорошая легируемость, о чем мы говорили выше, но и время жизни неравновесных носителей заряда. Однако со временем даже в самом лучшем полупроводнике исчезают однажды появившиеся неравновесные носители заряда. [46]
Слитки монокристаллического кремния марки БО имеют диаметр 54 0 05 мм, длину не менее 100 мм. Слитки имеют электронный тип электрической проводимости, интервал УЭС 1 30 - 1 50 Ом - м, время жизни неравновесных носителей заряда не менее 70 икс. [47]
К ним в первую очередь относятся концентрации самих дефектов: Л / д, Na, ND и Nv. Затем уже зависимые от них величины: удельное сопротивление р, подвиж - ность электронов и дырок ип и ир, времена жизни неравновесных носителей заряда тга и тр. [48]
 |
Устройство р - л-переходов точечных ( а, сплавных ( б, сварных ( в, диффузионных меза-диодов ( г и планарных ( д. [49] |
Импульсные диоды предназначены для работы в быстродействующих импульсных схемах с временами переключения 1 мксек и менее. При столь коротких рабочих импульсах приходится учитывать инерционность процессов включения и выключения диодов и принимать конструктивно-технологические меры, направленные на снижение барьерной емкости и сокращение времени жизни неравновесных носителей заряда в области р - - перехода. [50]
В современных импульсных диодах используются точечные и плоскостные / - п-переходы. Основным направлением создания быстродействующих импульсных диодов наносекундного диапазона в отдельных типов приборов суСнаносекундного диапазона является использование полупроводников с малыми значениями времени жизни неравновесных носителей. Основным методом снижения времени жизни неравновесных носителей заряда в германии и кремнии является легирование этих полупроводников золотом. Введением золота ( NAU 1 - Ю16 см-3) можно снизить эффективное время жизни неравновесных носителей до 0 5 - 0 3 нсек. Кроме того, при легировании золотом обратные токи диода уменьшаются в несколько раз и снижается барьерная емкость перехода. [51]
Импульсные диоды в основном предназначены для работы в быстродействующих импульсных схемах. Основными отличительными признаками импульсных диодов являются малые площадь электрического перехода и время жизни неравновесных носителей заряда в базе. [52]
 |
Распределения неосновных носителей заряда для различных диодных схем включения интегрального транзистора. [53] |
Частотные свойства диодов характеризуются также временем восстановления обратного сопротивления. Основная причина, инерционности диодов при работе в импульсном режиме обусловлена процессом накопления неравновесных носителей заряда в областях транзисторной структуры. Время восстановления обратного сопротивления зависит от размеров областей транзисторной структуры, времени жизни неравновесных носителей заряда и значения прямого тока через диод. [54]
При получении диффузионного р-п перехода импульсного диода наряду с введением донорной и акцепторной примесей осуществляют также диффузию золота. Вследствие того что золото имеет очень высокий коэффициент диффузии, происходит практически равномерное легирование всего кристалла. При этом, в отличие от сплавных диодов, в диффузионных удается ввести значительно большую концентрацию золота и гораздо сильнее снизить этим время жизни неравновесных носителей заряда. [55]
Толщина n - слоя базы составляет несколько микрометров и значительно меньше толщины высоколегированного м - слоя. Поэтому в ДНЗ сопротивление базы мало. Они находят применение в умножителях и делителях частоты, диодных усилителях, логических схемах, в схемах модуляторов, формирователей импульсов и др. Кроме известных импульсных параметров ДНЗ характеризуются временем жизни неравновесных носителей заряда тр - отношением заряда, переносимого переходным обратным током, к прямому току при его длительном протекании. [56]
Стандартные аналитические методы ( оптический спектральный анализ) становятся слишком грубыми для измерения таких уровней концентраций, и требуются более тонкие методы, например масс-спектроскопия или нейтронный активационный анализ. Часто для оценки максимальной концентрации примесей в выращенном кристалле или в готовом приборе измеряют их электрические свойства. Особое внимание уделяют элементам III и V групп периодической таблицы элементов, которые являются в кремнии легирующими примесями, а также примесям Аи, Си и Fe, образующим эффективные рекомбина-ционные центры, резко уменьшающие время жизни неравновесных носителей заряда. [57]
Эта емкость существенно отличается от обычной электрической емкости тела, характеризующей накопление равновесных зарядов. Диффузионная емкость характеризует накопление неравновесного заряда, при этом разноименные заряды накапливаются в одном и том же объеме, так как одновременно с инжекцией дырок из эмиттерного перехода в базу поступают электроны из вывода базы, чем обеспечивается сохранение электрической нейтральности тела базы. Вследствие процесса рекомбинации накопленный заряд, а следовательно, и диффузионная емкость быстро уменьшаются во времени. Скорость спада зависит от времени жизни неравновесных носителей заряда и толщины базы. [58]
Страницы: 1 2 3 4