Время - жизнь - неравновесный носитель - заряд
Cтраница 2
 |
Схема метода затухания фотопрово димости. [16] |
Этот метод позволяет измерять время жизни неравновесных носителей заряда на слитках германия и кремния в пределах от 3 до 500 мкс. Метод имеет существенные достоинства: он позволяет производить измерения на образцах любой формы и его результаты мало зависят от качества обработки поверхности образца и от присутствия центров прилипания. [17]
Распределения плотности тока и времени жизни неравновесных носителей заряда по площади диодных структур имеют максимумы в участках, отдаленных от периферии структуры. [18]
Рассмотрим условия, при которых время жизни неравновесных носителей заряда имеет постоянное значение. В общем случае время жизни неравновесных электронов и дырок зависит от концентрации носителей заряда; вид этой зависимости определяется механизмом рекомбинации. [19]
Здесь тр1 / й - время жизни неравновесных носителей заряда ( дырок) в полупроводнике; за время / тр концентрация неравновесных носителей заряда в полупроводнике убывает в 2 7 раза. [20]
Процесс поверхностной рекомбинации принято оценивать поверхностным временем жизни неравновесных носителей заряда полупроводника: Тпов /, и Тповя - В ряде случаев большое объемное время жизни неосновных носителей нежелательно, так как увеличивается время быстродействия полупроводниковых электронных приборов. [21]
 |
Уровни прилипания ( а, 6 н глубокие примесные уровни ( в в полупроводниках. [22] |
Наличие в полупроводнике уровней прилипания может существенно увеличить время жизни неравновесных носителей заряда, что будет подробно рассмотрено в дальнейшем. [23]
Изменение концентрации носителей заряда при освещении подчиняется экспоненциальному закону с постоянной времени, равной времени жизни неравновесных носителей заряда. [24]
Допустимое относительное отклонение УЭО от среднего значения по длине слитка ие более 35 %; время жизни неравновесных носителей заряда не более 500 мкс для всех марок. [25]
Допустимое относительное отклонение УЭС от среднего значения по длине слитка не более 35 %; время жизни неравновесных носителей заряда не более 500 мкс для всех марок. [26]
В соответствии с ГОСТ 19658 - 81 метод модуляции проводимости в точечном контакте используют для измерение времени жизни неравновесных носителей заряда в слитках монокристаллического кремния с удельным сопротивлением 5 - 10 - - 5 - 1) 2 Ом-см в следующих диапазонах: более 2 8 мкс - для кремния / 5-типа, более 7 7 мкс - для кремния тг-типа. Измерительный зонд изготавливают для образцов р-типа из фосфористой бронзы, дл: 1 образцов га-типа - из алюминия. Формовку контакта измерительного зонда осуществляют кратковременной подачей на измерительный зонд постоянного напряжения от источника с напряжением 300 - 400 В. Поверхность монокристалла шлифуют абразивным или алмазным порошком; при недостаточной инжекции допускается химическое травление. На боковой поверхности монокристалла создают омический контакт площадью не менее 1 см2 путем нанесения палладия, никеля, индий-галлиевой или алюминий-ггллиевой пасты. Длительность инжектирующего импульса тока выбирают в зависимости от марок образцов и ожидаемого значения времени жизни носителей заряда; при малых значениях времени жизни она составляет 50 мкс. [27]
Низкотемпературный отжиг кремния р-типа вплоть до 500 мало сказывается на его удельном сопротивлении и приводит к незначительному изменению времени жизни неравновесных носителей заряда. [28]
Таким образом, неравновесное состояние после прекращения внешнего воздействия релаксирует с некоторой характерной величиной ту, которая носит название релаксационного времени жизни неравновесных носителей заряда, или просто времени жизни. Величина ту численно равна времени, по истечении которого избыточная концентрация уменьшается в е раз. Легко видеть, что tf представляет собой среднее время существования избыточной концентрации. [29]
К ним относятся концентрации основных и неосновных носителей заряда, подвижности и коэффициенты диффузии основных и неосновных носителей заряда, объемное и поверхностное время жизни неравновесных носителей заряда, диффузионная длина неосновных носителей заряда, скорость поверхностной рекомбинации, концентрации донорных и акцепторных примесей, объемное генерационное время неравновесных носителей заряда, параметры глубоких уровней. [30]
Страницы: 1 2 3 4