Время - рассасывание
Cтраница 1
Время рассасывания зависит от глубины насыщения транзистора и изме - ряется при определенной величине коллекг торного и базового тока. Глубина насыщения определяется коэффициентом нас. [1]
Время рассасывания определяется как интервал времени тр, между моментом окончания насыщающего импульса тока базы и моментом, когда напряжение на коллекторе достигнет уровня 0 1 Ек. [2]
Время рассасывания с учетом пассивного заряда рассчитывается по прежним формулам, но с использованием постоянной времени тн, свойственной пассивной области базы. [3]
Время рассасывания при запирающем импульсе / вх можно определить по любой из известных формул. [4]
Время рассасывания зависит от коэффициента Л21Э и величин токов открытого и закрытого транзистора. По определению ток коллектора достигает насыщения, когда напряжение на коллекторе упадет ниже напряжения на базе и, следовательно, коллекторный переход окажется смещенным в прямом направлении. В этом случае коллектор инжектирует носители заряда в область базы. Коллекторный ток начинает уменьшаться, только когда исчезнут накопленные в базе носители заряда. [5]
Время рассасывания тем меньше, чем меньше степень насыщения и больше амплитуда запирающего импульса, а также чем меньше сопротивление внешней цепи, через которую происходит рассасывание. [6]
Время рассасывания может быть определено либо на основе решения уравнения заряда для избыточных дырок в базе диода Д, либо на основе решения уравнения диффузии. [7]
 |
Схема диффузионного транзистора типа р-п - р с дополнительным переходом у коллектора. [8] |
Время рассасывания при этом резко уменьшается. [9]
Время рассасывания tpVT определяет уровень динамических потерь транзисторов РЯУТ, которые могут составлять для современных транзисторов до 10 % от выходной мощности конвертора. [10]
Время рассасывания зависит от конкретной схемы включения и режима измерения. При больших степенях насыщения ( или, больших запирающих токах) и при существенных отклонениях режима использования от указанного в справочнике время рассасывания может значительно отличаться от его номинальной величины. [11]
Время рассасывания оказалось ничтожно малым даже при больших прямых токах базы, дающих высокую степень насыщения. Время спада в активной области зависит от величины прямого тока базы непосредственно перед выключением. [12]
Время рассасывания tv определяется как интервал времени между моментом подачи на базу насыщенного транзистора запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе достигает уровня 0 1 Ек. Рассасывание неравновесных носителей производится в основном за счет поверхностной и объемной рекомбинации. Ток базы при этом может значительно превышать величину тока базы в режиме отсечки. [13]
Время рассасывания зависит от глубины насыщения транзистора и измеряется при определенной величине коллекторного и базового тока. [14]
Время рассасывания с учетом пассивного заряда рассчитывается по прежним формулам, но с использованием постоянной времени тн, свойственной пассивной области базы. [15]
Страницы: 1 2 3 4