Время - рассасывание
Cтраница 4
В результате время рассасывания в транзисторе с диодом Шоттки оказывается значительно меньше ( несколько наносекунд), чем время рассасывания в транзисторе аналогичной структуры, но без шунтирующего диода Шоттки. [47]
Так как время рассасывания в ненасыщенных схемах равно нулю, то Вкл ( выка и приблизительно можно принять, что tBUKIl ( tCI xQ l икс, вклжО 2 мкс. [48]
Нас - Время рассасывания / рас - интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня. Коллекторную цепь в течение этого промежутка времени продолжает питать избыточный заряд, накопленный в базе. [49]
Так как время рассасывания геморрагии также характеризует состояние стойкости капилляров, мы поставили серию опытов с целью его определения. Проведенные исследования показали, что время рассасывания петехий у контрольных крыс равняется 6 - 8 часам. [50]
Для уменьшения времени рассасывания необходимо - обеспечить достаточно большой ток, вытекающий из базы выходного транзистора. Значение тока определяется напряжением i / вэ транзистора VT2 и малыми сопротивлениями транзистора VT1 данного ЛЭ и транзистора VT2 предыдущего ЛЭ. В результате получают достаточно большой ток и время рассасывания, меньшее трас. [51]
На протяжении времени рассасывания процесс рассасывания соответствует фазе постоянного тока. [52]
Для уменьшения времени рассасывания / см выбирается тем больше, чем быстрее необходимо закрыть транзистор. [53]
По истечении времени рассасывания tf транзистор Tj выходит из режима насыщения и переходит в активный режим. [54]
По истечении времени рассасывания / р транзистор Т1 выходит из режима насыщения и переходит в активный режим. При этом постоян - ная времени транзистора принимает значение 0Э, отличное от Ор, а входное сопротивление транзистора - значение гвха. Поэтому сопротивление в цепи протекания тока запуска увеличивается. [55]
Страницы: 1 2 3 4