Время - рассасывание
Cтраница 2
Время рассасывания при запирающем импульсе / вх можно определить по любой из известных формул. [16]
Время рассасывания зависит от степени насыщения транзистора и амплитуды запускающего тока. [17]
 |
Зависимость физических параметров транзистора от напряжения t / KB ( а и тока эмиттера ( б. [18] |
Время рассасывания tfac - интервал времени от момента переключения полярности тока / в до того момента, при котором напряжение на коллекторе достигает заданного уровня. [19]
Время рассасывания уменьшается с ростом ( по абсолютному значению) тока / п, а также при уменьшении времени жизни. При / п0 формула для Qn ( t) описывает процесс накопления зарядов. Если при / 0 Qn ( 0) 0, то время накопления Л, определяемое из условия Qn ( / H) 0 9X ХС. [20]
Время рассасывания, вычисленное из уравнения QSH ( / pac) О, составляет / рас я 12 не. [21]
Время рассасывания, определяемое из уравнения Q B ftpae) - О, составляет tfpao 0 4 мкс. [22]
 |
Зависимость физических параметров транзистора от напряжения t / KB ( а и тока эмиттера ( б. [23] |
Время рассасывания tfac - интервал времени от момента переключения полярности тока / в до того момента, при котором напряжение на коллекторе достигает заданного уровня. [24]
Время рассасывания сильно зависит от степени насыщения транзистора перед его выключением. Минимальное время выключения получается при граничном режиме насыщения. Для ускорения процесса рассасывания в базу пропускают обратный ток, который зависит от обратного напряжения на базе. Однако прикладывать к базе большое обратное напряжение нельзя, так как может произойти пробой перехода база-эмиттер. [25]
Время рассасывания тем меньше, чем меньше степень насыщения и больше амплитуда запирающего импульса, а также чем меньше сопротивление внешней цепи, через которую происходит рассасывание. [26]
Время рассасывания петехий, образовавшихся у крыс, подвергавшихся воздействию перечисленными выше ядами, увеличивалось до 18 - 20 часов. [27]
Время рассасывания избыточного заряда неосновных носителей / р увеличивает длительность выходного импульса по отношению к длительности входного импульса: tp tH - и. [28]
Время рассасывания импульса тока коллектора тр - время рассеивания неосновных носителей при выключении транзистора. [29]
Как время рассасывания / р зависит от величины емкости С. [30]
Страницы: 1 2 3 4