Время - рассасывание
Cтраница 3
 |
График функции. [31] |
Определим время рассасывания tp, для чего решим уравнение заряда базы при соответствующих условиях. [32]
Подсчитать время рассасывания и время спада труднее, так как подобные расчеты основываются на известном обратном управляющем токе базы. Во всех других логических схемах обратный ток в цепь базы поступает от источников тока - больших сопротивлений, связанных с большими напряжениями, так что обратный управляющий ток базы может быть легко рассчитан. [33]
На время рассасывания этого заряда транзистор Т4 остается открытым. Транзистор 72 в этой схеме, хотя и работает в насыщенном режиме, но закрывается значительно раньше транзистора Г4, благодаря большому рассасывающему току базы. Таким образом, на время рассасывания заряда в базе Г4 в выходной цепи возникает сквозной ток, величина которого может быть весьма значительной, если не принять специальных мер по ее ограничению. [34]
 |
Схема для измерения времени рассасывания ( а и форма импульсов коллекторного тока ( б. [35] |
Поскольку время рассасывания зависит от глубины насыщения транзистора, оно измеряется при определенной величине коллекторного и базового токов. [36]
Рассчитываем время рассасывания, время запаздывания и длительность среза при запирании ключа. [37]
Поскольку время рассасывания / рас не известно, то приближенно принято / рас 2 мкс. При чрезмерно малой индуктивности LJ транзистор может выходить из области насыщения до окончания импульса. [38]
Величина времени рассасывания и соответственно степень насыщения практически не влияют на время переключения. [39]
Продолжительность времени рассасывания определяется временем, в течение которого рассасываются неосновные носители, накопленные в базе паразитного транзистора вблизи эмиттерного перехода. [40]
Измерение времени рассасывания произведено не точно, так как время нарастания входного сигнала равно 0 06 мксек. Если за начало рассасывания принять момент, когда входной сигнал достигает напряжения, равного 0, то измеренное время рассасывания составляет 0 04 мксек. Это сравнимо с вычисленной величиной 0 034 мксек. [41]
Измерение времени рассасывания может производиться при задании одного из токов / ei или / 62 от источника по - - стоянного напряжения, а второго - от генератора импульсов либо при импульсном характере обоих токов. Для измерения маломощных транзисторов обычно используется режим постоянного насыщения, при котором контроль токов / кн и / 61 наиболее прост. По мере истечения накопленного заряда входное сопротивление транзистора возрастает, базовый ток уменьшается и напряжение на коллекторе падает, стремясь от величины t / KH ( напряжение насыщения) к значению Ек - / о ( RK R) в стационарном состоянии. Определение временного интервала между фронтом запирающего импульса тока / 62 и моментом спада коллекторного напряжения до определенного отсчетного уровня UK может быть произведено, например, осциллографическим способом. Уровень отсчета времени обычно задается в абсолютных величинах напряжения порядка ( 0 1 - 0 3) Ек с таким расчетом, чтобы отсчетная точка находилась на сравнительно крутом участке спада выходного импульса ( рис. 4.25, б), что повышает точность измерения. [42]
 |
Зависимость. от коэффициента запирания транзистора ст. [43] |
Определение времени рассасывания представляет наиболее сложную и в то же время наиболее интересную задачу. [44]
Постоянная времени рассасывания заряда в р-п-р-п структуре при выключении ее под действием обратного анодного напряжения. [45]
Страницы: 1 2 3 4