Время - спин-спиновая релаксация
Cтраница 1
Время спин-спиновой релаксации в рубине составляет примерно lO c, а ширина линии электронного парамагнитного резонанса - несколько десятков мегагерц. Поскольку TI TZ, особенно при низких температурах, уширение вследствие спин-спиновой релаксации является основным. [1]
 |
Кристалл цианида хрома.| Резонаторный квантовый усилитель.| Отражение радиоволн в активном резонаторе РКУ. [2] |
Время спин-спиновой релаксации в кристалле в зависимости от ориентации кристалла относительно На составляло 7 210 - 8 - f - 10 - 9 сек, а время спин-решетчатой релаксации не зависело от ориентации кристалла и было равно 7 0 2 сек. [3]
Время спин-спиновой релаксации Тг в твердых телах много меньше Tt и ширина линии определяется только Тг. В невязких жидкостях Тг того же порядка, что и TI, и ширина линии составляет доли герца. [4]
С время спин-спиновой релаксации ( Тг) для цеолита NaA почти не изменяется. Из температурной зависимости времени спин-решеточной релаксации ( Тг) определена энергия активации диффузии. [5]
Исследованием зависимости времени спин-решеточной и спин-спиновой релаксации от заполнения и температуры было показано, что адсорбционная система силикагель - вода при низких заполнениях ( Э - 0 05) по отношению ядерно-релаксационных явлений ведет себя, как4 однофазная. При увеличении заполнения проявляется существование двух состояний адсорбированного вещества, между которыми осуществляется протонный обмен. Энергия активации протонного обмена для статистического слоя с0 8 / 4 колеблется в пределах 3 1 - 5 2 ккал / молъ. Среднее время пребывания протонов в данном состоянии выражается в миллисекундах. [6]
Исследованием зависимости времени спин-решеточной и спин-спиновой релаксации от заполнения и температуры было показано, что адсорбционная система силикагель - вода при низких заполнениях ( 9 - 0 05) по отношению ядерно-релаксационных явлений ведет себя, как однофазная. При увеличении заполнения проявляется существование двух состояний адсорбированного вещества, между которыми осуществляется протонный обмен. Энергия активации протонного обмена для статистического слоя сб 8 / 4 колеблется в пределах 3 1 - 5 2 ккал / молъ. Среднее время пребывания протонов в данном состоянии выражается в миллисекундах. [7]
Время спин-решеточной релаксации Время спин-спиновой релаксации Время спин-решеточной релаксации электрона Время спин-решеточной релаксации ядра Обратная ширина линии ( Гц 1) Обозначение магнитной компоненты моды резонатора ( разд. [8]
 |
Зависимость амплитуды сигнала ядерной индукции А от времени задержки т в последовательности 90 - т - 90 -нын импульс для водного раствора медного купороса, насыщающего. [9] |
Аппаратура позволяет измерять время спин-спиновой релаксации Т2 в диапазоне от 10 - до нескольких секунд, время спин-решеточной релаксации Т от 10 - 4 до десятков секунд. [10]
 |
Разрешение двух близких ли - щая способность спектрометра ний спектра. а - линии разрешены хо - имеет первостепенное значе-рошо. б-линии разрешены на пределе пясшиЛповке слож. [11] |
Для невязких обезгаженных жидкостей времена спин-спиновой релаксации протонов достигают 10 с, а для ядер 13С ( в четвертичных атомах) - 100 с. [12]
TI и Т 2 - времена спин-решеточной и спин-спиновой релаксации, - полоса пропускания системы приемник-детектор. [13]
 |
Зависимость времени спин-спиновой релаксации протонов в алюмосиликатах от величины поверхности по БЭТ. [14] |
На рис. 19 представлена зависимость времени спин-спиновой релаксации для образца алюмосиликата от величины поверхности по БЭТ. Время Г2 постоянно для поверхностей, превышающих 200 м2 / г, а для меньших, чем 200 м2 / г, оно увеличивается до значения, близкого к 3 6 10 - 4 сек для образца с поверхностью 5 лг2 / г. Аналогичная кривая была получена для образцов сили-кагеля; она показывает, что Г2 постоянно и равно 1 8 - 10 - 4 сек для поверхностей, превышающих 100 м2 / г. Ниже 100 м2 / г Tz несколько возрастает. [15]
Страницы: 1 2 3 4