Время - диэлектрическая релаксация
Cтраница 3
 |
Схематическая диаграмма изменения концентрации дефектов во льде, легированном различными количествами фтора, с учетом образования ассоциатов VD и VL. [31] |
Таким образом, предложенная модель может объяснить наблюдаемую линейную зависимость времени диэлектрической релаксации от содержания фтора точно так же, как и модель с единичными ориентационными дефектами, если предположить, что релаксация обусловливается миграцией L-дефектов. Равенство времени релаксации для диффузии кислорода и диэлектрической релаксации свидетельствует о том, что активным дефектом должен быть VD-дефект, а концентрация этих частиц будет уменьшаться при добавлении фтора. Однако возможно, что в чистом льде VD - и L-дефекты влияют почти одинаково на диэлектрическую релаксацию. [32]
При исследовании некоторых алкилзамещенных анилинов и фенолов [39] применялись измерения времени диэлектрической релаксации, протонный магнитный резонанс и спектроскопия инфракрасного поглощения. По-видимому, o / wto - алкильные группы экранируют указанные группы от взаимодействия с бензольными молекулами растворителя, хотя такое взаимодействие, очевидно, происходит, если две метильные группы находятся в мета -, а не в ojwwo - положениях. [33]
Отметим, что такая же температурная зависимость обычно наблюдается для времени диэлектрической релаксации ( см. формулу (3.3)) и вообще характерна для термически активированных процессов. На рис. 2.7 в г показаны температурные зависимости долговечности полимера и керамического диэлектрика, которые оказываются подобными. [34]
Для теории диэлектрической релаксации в полимерах необходимо установить, как связаны времена диэлектрической релаксации, определяемые в эксперименте, с характерными временами молекулярного движения. Зависимость ц от времени определяется переориентацией этой группы. [35]
Справедливость рассматриваемого выражения обосновывается тем, что время жизни таутоме-ров больше времени диэлектрической релаксации, хотя у комплексов с константой К1 1 такое соотношение времен может не выполняться. На это, в частности, указывают результаты работы [283], в которой исследовались эффекты диэлектрического насыщения в смесях 2 4 6-трихлорфенола и триэтил-амина в разных растворителях; соответствующий поправочный коэффициент был найден близким к единице. [36]
 |
Зависимость тангенса угла диэлектрических потерь от температуры для полиметилметакрилата с различным содержанием толуола при частоте 1 Гц. [37] |
Из этого общего рассмотрения следует, что число максимумов в спектре времен диэлектрической релаксации зависит от особенностей распределения зарядов et вдоль цепи. [38]
 |
Частотная зависимость диэлектрических потерь при различных температурах84. [39] |
Из уравнения ( 29) следует, что с повышением температуры убывает время диэлектрической релаксации. [40]
В собственном полупроводнике, например в кремнии ( рг10и см-3), время диэлектрической релаксации порядка 1 мксек, для материала, используемого в транзисторах ( рр - Ю14 см-3), значение td находится в наносекундной области. [41]
Хотя точные значения rR для различных систем неизвестны, можно предположить, что время диэлектрической релаксации rD растворителя должно иметь значение, близкое к TR. Однако TR представляет собой микроскопическую величину, на которую могут оказывать значительное влияние короткодействующие электростатические взаимодействия между диполями молекул растворителя и большим диполем молекулы растворенного вещества в возбужденном состоянии, тогда как TD следует рассматривать скорее как макроскопическую величину. [42]
В собственном полупроводнике, например в кремнии ( р 10а сж-3), время диэлектрической релаксации порядка 1 мксек, для материала, используемого в транзисторах ( рр Ю14 CM-S), значение % d находится в наносекундной области. [43]
В однородном полупроводнике существенные объемные заряды не могут иметь места в течение времени, большего нескольких времен диэлектрической релаксации, за исключением узких граничных участков протяженностью несколько характеристических длин. [44]
В однородном полупроводнике существенные объемные заряды не могут иметь места в течение времени, большего нескольких времен диэлектрической релаксации, за исключением узких граничных участков протяженностью в несколько характеристических длин. [45]
Страницы: 1 2 3 4