Время - диэлектрическая релаксация
Cтраница 4
Из таблицы видно, что в пределах возможной ошибки определения Z р-г ( 7 - 10 %) времена диэлектрической релаксации, рассчитанные при различных сочетаниях частот ( 9 5 ГГц, v 36 1 ГГц, vj 48 5 ГГц), совпадают. Отмеченное совпадение дает основание считать, что в исследованном нами частотном диапазоне наблюдается один простой релаксационный процесс. [46]
Из таблицы видно, что в пределах возможной ошибки определения % рт ( 7 - 10 %) времена диэлектрической релаксации, рассчитанные при различных сочетаниях частот ( v; 9 5 ГГц, v 36 1 ГГц, vj 48 5 ГГц), совпадают. Отмеченное совпадение дает основание считать, что в исследованном нами частотном диапазоне наблюдается один простой релаксационный процесс. [47]
Термически генерированные носители заряда не учитываются; это подразумевает, что приложенное напряжение достаточно высоко, чтобы время пролета стало равным времени диэлектрической релаксации. В стационарном состоянии единственным каналом исчезновения заряда является рекомбинации зарядов противоположного знака в любом элементе объема. [48]
Рмкс и Омакс - максимальнее значения остаточной поляризации к свободного заряда для данного диэлектрика при Ет н Т м; т - время диэлектрической релаксации ( для простоты условно принимается, что полимер имеет одно время релаксации); время установлении / зависит от структуры полимера а молекулярном к надмолекулярном уровнях. [49]
Далее, равенства (2.10) [ [ ( 2 14) указывают на роль четырех характеристических времен; времени жизни свободных носителей т, времени фотоответа т0, времени пролета свободных носителей Тг и времени диэлектрической релаксации Третг. В Следующих трех Главах основное внимание уделяется анализу таких понятий как уровни прилипания и центры рекомбинации, а также четырех указанных выше характеристических времен. [50]
В рассматриваемой модели p - n - перехода предполагается, что изменение концентрации неосновных носителей в областях за границами перехода при небольшом прямом напряжении не нарушает электрическую нейтральность этих областей Это объясняется быстрой ( за время диэлектрической релаксации) нейтрализацией заряда инжектированных неосновных носителей основными носителями, поступающими из внешней цепи. Предположим, что толщины нейтральных областей много больше диффузионной длины неосновных носителей в этих областях. Физические процессы при прямом напряжении p - n - перехода поясняет рис. 2.7. На рис 2.7, а показаны направления движения основных носителей создающих прямой ток. Перемещение этих носителей через p - n - переход приводит к инжекции избыточных неосновных носителей - электронов в нейтральную р-область, а дырок в - область. [51]
 |
Сопоставление проводимости, измеренной на постоянном и на пере. [52] |
Са - емкостное сопротивление воздуха; R - сопротивление, подключенное последовательно; tc - время зарядки; г 0 в - статическая диэлектрическая проницаемость; е с - высокочастотная диэлектрическая проницаемость; т - время диэлектрической релаксации. [53]
Зависимость времени диэлектрической релаксации для льда I от температуры ( Оти и Коул, 1952) и зависимость времени упругой деформации Шиллер ( Раннел, 1969) для льда I ( рис. 23) показывают, что время диэлектрической релаксации больше в 1 45 раза во льду I, чем время упругой релаксации, в то время как энергии активации обоих процессов практически одинаковы. [54]
 |
Энергетическая диаграмма полупроводника с двух-долинной зоной проводимости. [55] |
Следует отметить, что при рассмотрении эффекта Ганна с помощью температурной модели [9] делаются допущения, что потоки носителей не оказывают существенного влияния на напряженность приложенного электрического поля и что установление равновесной концентрации происходит за время, меньшее времени диэлектрической релаксации. [56]
На рис. 48, а представлены графики зависимости энтальпии активации от кажущейся энтропии активации для прямых реакций разрыва Н - связи ( A f, ASfK) и реакций переноса Н - связи ( A / / jf, А5 к) - Величины ЛЯ и ASit рассчитаны по данным о константах скоростей реакций, которые определены с помощью приведенных соотношений для времени акустической и диэлектрической релаксации. [57]
Для изготовления генераторов на эффекте Ганна используется главным образом арсенид галлия электронного типа электропроводности с удельным сопротивлением порядка 1 - 10 ом-см. Время диэлектрической релаксации, ограничивающее скорость образования доменов, будет равно в этом случае 10 - 12 - 10 11 сек соответственно. [58]
В [201] сравниваются времена релаксации и температурные зависимости для полистирола в толуоле, полученные методами ПЛ, ЭПР, ЯМР и диэлектрической релаксации. Времена диэлектрической релаксации оказались больше на порядок, чем тпл, что превышает в 3 раза классическое различие для изотропной вращательной диффузии сферической частицы или гантели. [59]
Страницы: 1 2 3 4