Время - восстановление - обратное сопротивление
Cтраница 1
Время восстановления обратного сопротивления т0бр - интервал времени между моментом переключения напряжения на диоде с прямого на обратное и моментом, когда обратный ток достигнет заданного значения. [1]
Время восстановления обратного сопротивления в схеме / определяется из следующих соображений. В этой схеме только эмиттер - ный переход смещается в прямом направлении, а так как коэффициент инжекции эмиттера близок к единице, то происходит накопление неосновных носителей только в области базы. [2]
Время восстановления обратного сопротивления зависит от величин зарядов неосновных носителей, накопленных в областях транзистора ( в базе и коллекторе) при протекании прямого тока, а также от постоянных времени, характеризующих рассасывание этих носителей. Кроме того, на него влияет барьерная емкость. [3]
Время восстановления обратного сопротивления ( вос, ОБР) - время от момента прохождения тока через нуль, при переключении диода с прямого тока на импульсное обратное напряжение, до момента когда обратный ток диода уменьшается до заданного уровня отсчета. [4]
 |
Основные параметры некоторых импульсных диодов. [5] |
Время восстановления обратного сопротивления тв - время с момента смены направления тока через диод с прямого на обратное до того момента, когда обратный ток уменьшится до заданного значения. [6]
 |
Устройство точечного германиевого диода типа Д2. [7] |
Временем восстановления обратного сопротивления TBOCCT называется промежуток времени, в течение которого обратное сопротивление диода достигает стационарного значения. [8]
Зависимость времени восстановления обратного сопротивления ( даны зоны разброса) от прямого тока. [9]
Достоинства: время восстановления обратного сопротивления не более 10 не; ВАХ близка к ВАХ p - n - перехода, но прямая ветвь более крутая; уровень шумов меньше, чем в точечных диодах на р-п-пе-реходе. [10]
Принцип измерения времени восстановления обратного сопротивления заключается в том, что туннельный диод формирует из экспоненциально спадающего импульса переходного обратного тока измеряемого диода прямоугольный импульс с крутыми фронтами, по длительности равный тВОССт от начала запирающего импульса до момента, когда обратный ток спадает до заданного отсчетного уровня. Длительность сформированного таким образом импульса сравнивается с временем задержки запирающего импульса, прошедшего через, калиброванную регулируемую линию задержки. [11]
 |
Зависимость коэффициента динамических потерь от запаса по насыщению. [12] |
В течение времени восстановления обратного сопротивления полупроводниковые диоды выпрямителя пропускают почти одинаковый ток в прямом и обратном направлении. Вследствие этого в выпрямителе возникает перекрытие фаз, в течение которого вторичная обмотка трансформатора преобразователя оказывается почти короткозамкнутой. При этом транзисторы преобразователя напряжения перегружаются, выходят из режима насыщения, и на них рассеивается значительная мощность, а фронт выходного напряжения преобразователя искажается - на нем появляется ступенька, что приводит к увеличению пульсации выпрямленного напряжения. [13]
В, а время восстановления обратного сопротивления не должно превышать 0 1 - 0 5 икс, чтобы выпрямлять перемятое напряжение высокой частоты статического преобразователя. Наиболее полно удовлетворяют предъявляемым требованиям диоды, полученные на основе барьера Шоттки. [14]
 |
Возникновение отрицательного сопротивления при сдвиге фаз между током и на. [15] |
Страницы: 1 2 3 4