Время - восстановление - обратное сопротивление
Cтраница 3
Описаны схемы измерения параметров инерционности импульсных диодов субнаносекундного диапазона, позволяющие измерять время восстановления обратного сопротивления до 0 5 нсек, заряд переключения до 1 - 2 пк, эффективное время жизни до 0 1 нсек. [31]
 |
Структура точечного. [32] |
Для ускорения переходных процессов в кремниевых импульсных диодах и для уменьшения значения времени восстановления обратного сопротивления этих диодов в исходный кремний вводят примесь золота. Эта примесь обеспечивает появление в запрещенной зоне кремния энергетических уровней рекомбинационных ловушек и уменьшение времени жизни неосновных носителей. [33]
 |
Виды нагрузок преобразователя напряжения. [34] |
Включение фильтра, начинающегося с дросселя, вызывает замедленный спад тока через диод в течение времени восстановления обратного сопротивления. Это приводит к резкому увеличению длительности времени перекрытия фаз выпрямителя и увеличению тока нагрузки на преобразователь в момент переключения. [35]
Время tBOC в течение которого обратный ток изменяется от максимального значения до установившегося, называется временем восстановления обратного сопротивления ( или тока) диода. [36]
Включение фильтра, начинающегося с дросселя, вызывает замедленный спад то ка через диод в течение времени восстановления обратного сопротивления. Это приводит к резкому увеличению длительности времени перекрытия фаз выпрямителя и увеличению тока нагрузки преобразователя в момент переключения. При этом в транзисторах усилителя мощности возрастают динамические потерн мощности, а в автогенераторе, кроме увеличения потерь, возможны даже срывы колебаний из-за перегрузки транзисторов при переходных процессах переключения. [37]
Время tBOC, в течение которого обратный ток изменяется от максимального значения до установившегося, называется временем восстановления обратного сопротивления ( или тока) диода. [38]
Время твос от момента возникновения обратного тока до момента, когда он уменьшится до установившегося значения, называют временем восстановления обратного сопротивления. Оно является важным параметром диодов, предназначенных для импульсной работы. У таких диодов твос не превышает десятых долей микросекунды. Чем оно меньше, тем лучше, так как тогда диод быстрее запирается. [39]
 |
Принципиальная схема емкостного прерывающего устройства инвертора тока с зарядом прерывающего конденсатора от внешнего источника. [40] |
Приходится увеличивать емкость конденсатора для того, чтобы время приложения отрицательного напряжения к мосту инвертора при прерывании тока превышало не только время восстановления обратного сопротивления тиристоров ( 50 - 100 мкс), но и было достаточным для коммутации аварийного тока. [41]
Индекс с-норма параметра по ТУ для сдаточных испытаний / о6р - обратный ток диода; Unp-прямое напряжение на диоде; т - время восстановления обратного сопротивления; / ко, / - обратный ток коллектора и эмиттера соответственно; RHK - сопротивление насыщения транзистора; В, - статический коэффициент передачи тока; Абст наЧ - изменение статического коэффициента пере-сл дачи тока; С / пр имп-импульсное прямое напряжение; С / вх-входное напряжение. [42]
Учитывая сказанное в § 3.4 о принципе действия транзистора с ДШ, можно заключить, что для схемы / ( ( КБ 0) время восстановления обратного сопротивления должно быть наименьшим, тем более, что в этой схеме емкость диода определяется только барьерной емкостью эмиттерного р-п перехода. Поэтому такое диодное включение используется в быстродействующих цифровых микросхемах. [43]
 |
Экспериментальные зависимости температуры корпуса тиристоров типа КУ201 от частоты коммутируемых сигналов.| Эпюра переходного процесса выключения тиристора ( или диода обратным напряжением. [44] |
Рост тепловых потерь при повышении частоты вызван, с одной стороны, переходным процессом, сопровождающим запирание проводящего тиристора или диода полуволной обратного напряжения продолжительностью, равной времени восстановления обратного сопротивления tSOCCT, а с другой стороны, временем модуляции сопротивления объема базы тиристора ( диода), влияющим на величину прямого падения напряжения при протекании полуволны прямого тока. Восст для конкретного прибора может быть принята постоянной. Она является конструктивно-технологическим параметром, тесно связанным с временем жизни неосновных носителей тока в приборе. [45]
Страницы: 1 2 3 4