Время - восстановление - обратное сопротивление
Cтраница 2
Объясните, почему время восстановления обратного сопротивления зависит от величины прямого тока. [16]
 |
Переключение ПП диода. а - . схема измерения времени переключения. Лпр и йобр - прямое. [17] |
Время выключения измеряется по времени восстановления обратного сопротивления и определяется рассасыванием и рекомбинацией неосновных носителей заряда. [18]
В связи с тем что время восстановления обратного сопротивления будет тем меньше, чем выше скорость рекомбинации, очевидно, что для изготовления импульсных диодов применяют полупроводниковые материалы с малым временем жизни носителей. [19]
 |
Распределения неосновных носителей заряда для различных диодных схем включения интегрального транзистора. [20] |
Частотные свойства диодов характеризуются также временем восстановления обратного сопротивления. Основная причина, инерционности диодов при работе в импульсном режиме обусловлена процессом накопления неравновесных носителей заряда в областях транзисторной структуры. Время восстановления обратного сопротивления зависит от размеров областей транзисторной структуры, времени жизни неравновесных носителей заряда и значения прямого тока через диод. [21]
Меза-диоды обладают очень высоким быстродействием: время восстановления обратного сопротивления не превышает 10 нсек. [22]
При конструировании схемы, в которой измеряется время восстановления обратного сопротивления, необходимо особое внимание уделять мерам по сокращению до возможного минимума паразитной индуктивности Ln контура, по которому рассасывается заряд, накопленный в измеряемом диоде. [23]
Почему при длительности импульса, меньшей, чем время восстановления обратного сопротивления, меняется амплитуда тока в диоде. [24]
Соответственно одним из основных параметров импульсного диода является время восстановления обратного сопротивления / вос, равное интервалу времени от момента прохождения тока через нуль после переключения диода с заданного прямого тока в состояние заданного обратного напряжения до момента достижения обратным током заданного низкого значения. [25]
Соответственно одним из основных параметров импульсного диода является время восстановления обратного сопротивления вос, равное интервалу времени от момента прохождения тока через нуль после переключения диода с заданного прямого тока в состояние заданного обратного напряжения до момента достижения обратным током заданного низкого значения. [26]
 |
Конструкция одного из импульсных точечных диодов. [27] |
В связи с малым временем жизни неосновных носителей заряда время восстановления обратного сопротивления точечных диодов значительно меньше, чем плоскостных выпрямительных диодов. Барьерная емкость точечного р-л-перехода мала из-за малой площади этого перехода. Поэтому точечные диоды сохраняют выпрямительные свойства до десятков мегагерц. [28]
 |
Конструкция одного из импульсных точечных диодов. [29] |
В связи с малым временем жизни неосновных носителей заряда время восстановления обратного сопротивления точечных диодов значительно меньше, чем плоскостных выпрямительных диодов. Барьерная емкость точечного р-п-перехода мала из-за малой площади этого перехода. Поэтому точечные диоды сохраняют выпрямительные свойства до десятков мегагерц. [30]
Страницы: 1 2 3 4