Время - восстановление - обратное сопротивление
Cтраница 4
 |
Схемы, иллюстрирующие переходные процессы в МЭ и ИМ.| Схема измерения максимального импульсного напряжения, времени восстановления обратного сопротивления ( о и заряда переключения ( б. [46] |
Тф - длительность переднего фронта; тс - задержка выключения; tp - время спада; ти - длительность импульса; t3c - время задержки распространения сигнала; Твосст - время восстановления обратного сопротивления; а - нарастание тока коллектора при ступенчатом импульсе тока базы 16; б - схема, иллюстрирующая задержку распространения сигнала в ИМ; в - переходный процесс при включении диода; г - переходный процесс при переключении диода. [47]
 |
Схемы диодного включения интегрального транзистора с диэлектрической изоляцией. [48] |
Интегральные полупроводниковые диоды характеризуются следующими основными статическими и динамическими параметрами: напряжением пробоя, обратным током диода, прямым напряжением при малых и больших токах, емкостью диода, смещенного в обратном направлении, паразитной емкостью диода относительно подложки и постоянной времени восстановления обратного сопротивления. Для транзисторов, имеющих диэлектрическую изоляцию, паразитная емкость коллектор - подложка на порядок меньше, чем емкости переходов, поэтому в большинстве случаев она не учитывается. [49]
В момент переключения обратный ток оказывается по величине равным прямому, сохраняется таким некоторое время / 1 ( и затем в течение времени t2 уменьшается до стационарного значения / Обр - Время, в течение которого обратный ток после переключения падает до значения / обр, носит название времени восстановления обратного сопротивления Обр. Процесс восстановления обратного сопротивления диода также связан с накоплением заряда в базе диода. [50]
A6i - 5 В); заряд переключения 3 к - полная величина заряда, переносимого обратным током после переключения диода с заданного прямого на обратное напряжение при соответствующих значениях прямого тока и обратного напряжения; максимальное импульсное прямое падение напряжения t / пр.и. макс - максимальное падение напряжения на диоде в прямом направлении при заданной силе импульсного прямого тока; время установления прямого сопротивления / уст - время от момента включения прямого тока диода до момента достижения заданного уровня прямого напряжения на диоде при модуляции сопротивления базы в результате ипжекции носителей через электрический переход; время восстановления обратного сопротивления / Вос - отрезок времени от момента прохождения тока через нуль при переключении диода с прямого на обратное импульсное напряжение до момента достижения обратным током заданного уровня отсчета. Обе составляющие ti и t2 являются важными параметрами, характеризующими импульсный режим работы ДНЗ. Кроме того, ДНЗ характеризуется временем жизни неосновных носителей заряда т - отношением заряда, переносимого переходным обратным током диода, к значению прямого тока при его длительном протекании. [51]
Время восстановления обратного сопротивления тв - время с момента смены направления тока через диод с прямого на обратное до того момента, когда обратный ток уменьшится до заданного значения. Выпрямленный ток 1а - среднее значение тока через диод с учетом частоты следования импульсов. [52]
Амплитудное значение обратного тока Irr зависит от скорости спада прямого тока ( - diT / dt) и времени жизни дырок в базе п тиристора. Теоретически время восстановления обратного сопротивления перехода ] тиристора, как и время восстановления обратного сопротивления диода, составляет примерно 0 6 - 0 7 тр. [53]
Большинство параметров полупроводниковых приборов значительно изменяется в зависимости от режима работы и температуры. Например, время восстановления обратного сопротивления импульсных диодов зависит от значения прямого тока, напряжения переключения и сопротивления нагрузки; потери преобразования и коэффициент шума СВЧ диодов зависят от уровня подводимой мощности. Значительно изменяется в диапазоне температуры, указанном в технических условиях, обратный ток диода. В справочнике приводятся значения параметров, гарантируемых ТУ для соответствующих оптимальных или предельных режимов использования. [54]
 |
Измерение импульсного сопротивления, макс, импульсного сопротивления и времени установления прямого сопротивления.| Измерение времени восстановления обратного сопротивления. [55] |
В первом случае на диод подается импульс тока и осциллографом измеряется напряжение на диоде. Аналогичным образом измеряется время восстановления обратного сопротивления т бр ( рис. 3) Значение тока гд, до к-рого отсчитывается время, оговаривается техпич. [56]
При переключении напряжения с прямого на обратное рассасывание избыточной концентрации инжектированных носителей в базе за счет диффузии и рекомбинации происходит не мгновенно. Этот процесс характеризуется параметром tBOC - временем восстановления обратного сопротивления, диода. [57]
Так как коллекторный переход смещен в прямом направлении, то происходит накопление избыточных носителей как в базе, так и в коллекторе ( основное накопление избыточного заряда происходит в области коллектора), потому что интегральные транзисторы имеют высокоомный коллектор и, следовательно, коэффициент инжекции коллекторного перехода значительно меньше единицы. Рассасывание этого заряда при выключении диода и определяет время восстановления обратного сопротивления, зависимого от свойств коллектора. Если толщина коллектора значительно превышает диффузионную длину неосновных носителей в нем, то его называют толстым, а при обратном соотношении между этими величинами - тонким. Для толстого коллектора постоянная времени рассасыв ания равна времени жизни дырок в коллекторе, а для тонкого коллектора - времени пролета дырками коллектора. [58]
Диоды с барьером Шотки с их малым ипр и временем восстановления обратного сопротивления предпочтительны по эффективности использования перед кремниевым и германиевым диодами. [59]
Страницы: 1 2 3 4