Эффективное время - жизнь
Cтраница 1
Эффективное время жизни - время жизни неравновесных носителей, определенное с учетом их рекомбинации не только в объеме, но и на поверхности полупроводника. [1]
Эффективное время жизни - время жизни неравновесных носителей, определенное с учетом их рекомбинак ции не только в объеме, но и на поверхности полупроводника. [2]
Эффективное время жизни в полупроводниковых диодах и транзисторах обычно составляет 0 1 - 2 мксек, но в ряде случаев может быть на порядок больше и меньше этой величины. [3]
Эффективное время жизни определяется, таким образом, наименьшим из этих частных времен жизни. [4]
Эффективное время жизни в полупроводниковых диодах и транзисторах обычно составляет 0 1 - 2 мкс, но в ряде случаев может быть на порядок больше и меньше этих значений. [5]
Эффективное время жизни дырок в базе тр не зависит от уровня инжекции. Это утверждение не является вполне очевидным. [6]
Эффективное время жизни неосновных носителей заряда 4ф - время, определяющее процесс рекомбинации неосновных носителей заряда в базе диода. [7]
Поскольку эффективное время жизни нейтронов в реакторе То не зависит от времени, если мгновенное число нейтронов в реакторе равно Щ0 то число нейтронов в секунду Л () / Г0 уже не влияет на поток нейтронов в активной зоне реактора. Как уже было отмечено, часть нейтронов покидает активную зону, часть нейтронов поглощается материалами реактора ( что не приводит к делению), а остальная часть поглощается делящимся материалом, в результате чего происходит деление его ядер и одновременно появляются новые свободные нейтроны. [8]
Эф - эффективное время жизни в активной области базы без учета влияния дрейфового поля Е, созданного неравновесным распределением примеси в активной области базы дрейфовых транзисторов, По сущест-ву, для данной модели расчета значение тр должно совпадать с величиной тан. [9]
 |
Зависимость барьерной Сб. [10] |
Тр - эффективное время жизни дырок в - области; т - эффективное время жизни электронов в р-области. [11]
Согласно этому соотношению эффективное время жизни в триоде обусловлено поверхностной рекомбинацией. Оно зависит от геометрии триода и по существу является скорее характеристикой данного конкретного образца, чем параметром материала, из которого он изготовлен. [12]
ТР тп - эффективное время жизни дырок в - области и электронов, в / э-областа. [13]
В этом случае эффективное время жизни электрона в зоне проводимости может быть получено из следующих соображений. [14]
Таким образом, эффективное время жизни неосновных носителей в тонком слое не зависит ни от объемного времени жизни, ни от самой скорости рекомбинации. Оно определяется средним временем, в течение которого неосновные носители проходят расстояние, равное толщине пластины, за счет диффузии. [15]
Страницы: 1 2 3 4