Cтраница 4
Для p - n - переходов с тонкой базой ( W Lp) вместо тр в эту формулу нужно подставлять эффективное время жизни неосновных носителей в базе тэф, зависящее от скорости рекомбинации на границе базы, противоположной переходу. Так как заряд зависит от напряжения нелинейно, то диффузионная емкость является функцией напряжения. [46]
При сравнении выражений (9.99) и (9.18), которое определяет период реактора при отсутствии запаздывающих нейтронов, можно видеть, что влияние запаздывающих нейтронов проявляется в увеличении среднего эффективного времени жизни нейтронов. [47]
Ббльшая часть избыточного заряда накапливается в коллекторе и пассивной базе ( см. § 4.3, рис. 4.7), поэтому постоянная времени трао в основном определяется эффективным временем жизни дырок в коллекторе и зависит также от эффективного времени жизни электронов в пассивной базе. Время рассасывания, как видно из (4.46), уменьшается при увеличении тока / Б2 удаляющего избыточные электроны из базы. [48]
Описаны схемы измерения параметров инерционности импульсных диодов субнаносекундного диапазона, позволяющие измерять время восстановления обратного сопротивления до 0 5 нсек, заряд переключения до 1 - 2 пк, эффективное время жизни до 0 1 нсек. [49]
Для описания формирования среза используется несколько постоянных времени, выражения для которых содержат бесконечные ряды вследствие расчета с помощью уравнения непрерывности, но по существу определяемых размерами активной области базы и эффективным временем жизни для неосновных носителей в этой области. [50]
Здесь п0 - начальный уровень нейтронной мощности, С, A / i, Pi - соответственно приращения мощности эмиттеров, постоянная распада и доля запаздывающих нейтронов i - й группы, I - среднее эффективное время жизни мгновенных нейтронов. [51]
Соотношения ( 9), ( 14), ( 16) - ( 19) целесообразно использовать при измерении сверхбыстродействующих диодов; в этом случае трудно создать источники видеоимпульсов с фронтами, существенно меньшими эффективного времени жизни, а разброс в длительности фронтов соизмерим с Тэфф. Поэтому приходится отказаться от наглядных представлений импульсных свойств диода в режиме переключения видеоимпульсами и перейти к переключению синусоидальным сигналом, форма которого определена с высокой степенью идентичности. Это упрощает задачу создания измерительной аппаратуры. Выражения ( 14), ( 17) позволяют измерять быстродействие субнаносекундных диодов сравнительно простыми средствами на частотах 0 3 - 1 Ггц, в то время как для измерения импульсных характеристик этих диодов потребовалась бы аппаратура с эффективной широкопо-лосностью 1 5 - 5 Ггц. [52]
Если в полупроводниковом фоточувствительном слое есть примеси, являющиеся ловушками захвата для неосновных носителей заряда ( сенсибилизирующие или очувствляющие примеси), то захват неосновных носителей этими ловушками может существенно ( на несколько порядков) увеличить эффективное время жизни неравновесных основных носителей. В этом случае время жизни может значительно превышать время пролета носителей между электродами. Когда один из электронов достигает положительного электрода, другой электрон входит в полупроводниковый слой из отрицательного электрода для сохранения электрической нейтральности объема полупроводника, в котором осталась нескомпенсированная положительно заряженная ловушка захвата. Таким образом, поглощение одного фотона может служить причиной прохождения через фоторезистор многих электронов. [53]