Эффективное время - жизнь
Cтраница 3
Основная трудность, возникающая при изготовлении импульсных диодов, связана с уменьшением эффективного времени жизни. С этой точки зрения желательно использовать сильнолегированные материалы. Однако чрезмерное уменьшение удельного сопротивления приводит к уменьшению обратного напряжения и увеличению барьерной емкости. Поэтому рп 1 - 2 ом см для германия являются наиболее разумными значениями. При p l - 2 ом см прямое импульсное сопротивление достигает 100 - 200 ом, а обратное напряжение нескольких десятков вольт. [31]
Так, коэффициент усиления по напряжению р у полупроводникового триода прямо пропорционален эффективному времени жизни в кристалле данного прибора. В свою очередь, величина тэфф у тонкого кристалла ( d C L) определяется скоростью поверхностной рекомбинации. Напомним, что Ks в выражении ( 123) является коэффициентом поверхностной рекомбинации, а символ Сосн обозначает концентрацию основных носителей в объеме кристалла. Поэтому эффективное время жизни носителей в данном кристалле может изменяться только за счет соответствующего изменения коэффициента Ks. Из формулы ( 117) следует, что этот коэффициент зависит от концентрации носителей заряда на поверхности кристалла и от энергетического расположения ловушек в запрещенной зоне полупроводника. Рассмотрим оба указанных фактора в отдельности. [32]
 |
Зависимость коэффициента динамических потерь от запаса по насыщению. [33] |
Для улучшения работы преобразователя в выпрямителях рационально применять высокочастотные или импульсные диоды, имеющие малое эффективное время жизни дырок в области базы. [34]
Обратим внимание на характерные времена, содержащиеся в системе уравнений (16.34): Т1 - эффективное время жизни возбужденных центров на верхнем рабочем уровне; Гр - время жизни фотонов в резонаторе; Т2 - время релаксации недиагональных элементов матрицы плотности, или время релаксации резонансной поляризации активной среды. [35]
 |
Типовой температурный коэффициент для всех типов.| Типичная зависимость изменения эффективного времени жизни т от прямого тока и температур. i окружающей среды ( для всех пшов диодов. [36] |
Было показано1, что время обратного восстановления кремниевого сигнального диода определяется некоторой величиной, называемой эффективным временем жизни 1 и отношением прямого и обратного тока. Выражения для определения отрезков времени / а и / б ( показанных на рис. на стр. На рис. 10 покатан графический метод решения уравнений для времени за -, паздывания, его лучше всего иллюстрирует следующий пример. [37]
 |
Схема отбраковки диодов для импульсных схем. а - принципиальная схема. б - форма входного напряжения t / BX и тока. [38] |
Для отбора диодов, предназначенных для работы в импульсных схемах, одним из основных параметров является эффективное время жизни т, характеризующее их быстродействие. Отбраковка диодов по указанному параметру может быть произведена с помощью простой схемы, Si изображенной на рис. 182, а. Принцип действия этой схемы сводится к следующему. [39]
При расчете переходных процессов в режиме насыщения в уравнение ( 5 184) следует подставлять другое значение эффективного времени жизни т 6, так как при насыщении неосновные носители не втягиваются коллектором и распространяются в большем объеме базы. При этом увеличивается роль поверхностной рекомбинации, в связи с чем эффективное время жизни уменьшается. [40]
Так как тб т, то время установления напряжения на обоих переходах определяется постоянной времени тб - эффективным временем жизни неосновных носителей в области базы. [41]
Показано, что влияние невыпрямляющего контакта на электрические характеристики полупроводникового диода во всех случаях может быть учтено введением эффективного времени жизни неравновесных носителей вблизи р-п перехода, которое может быть определено экспериментально из частотной зависимости сопротивления потерь или рассчитано теоретически. [42]
Таким образом, при наличии нескольких механизмов захвата электронов складываются величины, обратные временам жизни, в результате чего эффективное время жизни оказывается меньше наименьшего из времен жизни, определяемых каким-либо механизмом захвата. [43]
Будем считать, что ядра в состояниях А и В имеют одинаковое время спин-спиновой релаксации Т2, и введем эффективное время жизни ТХАТАХВТВ, где молярные доли ХА и хв ( ХА. [44]
Они объясняются изменением процессов рекомбинации носителей заряда на поверхности и г приповерхностной области объемного заряда, состоящим в возрастании эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда. [45]
Страницы: 1 2 3 4