Эффективное время - жизнь
Cтраница 2
Поскольку тс определяется эффективным временем жизни избыточных носителей тока, а величина фототока также зависит от тЭф (2.10), то увеличение чувствительности за счет увеличения времени жизни избыточных носителей приводит и к увеличению тс. [16]
Время задержки зависит от эффективного времени жизни неравновесных носителей в р2 - базе, значений прямого и обратного токов, протекающих через тиристор соответственно перед моментом подачи запирающего импульса и сразу после подачи ( / добр. [17]
Максимальная длительность полочки определяется эффективным временем жизни неосновных носителей и у большинства диодов, используемых в стробоскопических осциллографах, не превышает нескольких десятков наносекунд. Однако для обеспечения требуемой амплитуды стробимпульса ( единицы вольт) необходимо подать запирающее напряжение соответствующей величины; перепад этого напряжения вызовет импульс обратного тока с амплитудой до 0 5 - 1 А, а ток такой величины рассасывает накопленный заряд за время 1 - 2 не. [18]
NaOH максимум поверхностной рекомбинации ( минимум эффективного времени жизни) при потенциале qs - - 0 63 е, который практически не зависит от типа проводимости германия и его удельного сопротивления. В противоположность этому значение потенциала, при котором фотопотенциал равен нулю, сильно зависело от электрофизических параметров германия и смещалось в более положительную сторону при уменьшении концентрации свободных электронов в германии. [19]
Величина этого дополнительного уменьшения определяется эффективным временем жизни тж и соотношением прямого и обратного токов через диоды под действием стробимпульсов и запирающего напряжения. При этом учитывается, что обратный ток обычно значительно больше амплитуды прямого. [20]
При повышении плотности лучистого потока возможно увеличение эффективного времени жизни и диффузионной длины ННЗ и как следствие этого суперлинейное увеличение фототока. [21]
 |
Структура магнитодиода с областью высокой скорости рекомбинации ( s на одной грани.| Вольт-амперные характеристики магнитодиода ( а и S-дио-да ( б при прямом смещении в магнитном поле ( B3B2Bi. [22] |
Если скорости рекомбинации на гранях одинаковы, то эффективное время жизни уменьшается и соответственно ток такого магни-тодиода в магнитном поле уменьшится. [23]
Рассматриваются некоторые теоретические соотношения, устанавливающие связь между эффективным временем жизни неравновесных носителей заряда в базе диода, величиной заряда переключения, емкостью и частотной характеристикой выпрямленного тока диода. Показано, что эффективное время жизни неравновесных носителей заряда в базе диода может быть определено по граничной частоте частотной характеристики выпрямленного тока диода и барьерной емкости р-п перехода. Получено соотношение, позволяющее найти эффективное время жизни неравновесных носителей заряда по амплитуде выброса обратного тока и частоте синусоидального сигнала. [24]
Плотность синглетиых экеитонов определяется уравнением (4.5.1.046), где т - эффективное время жизни синглетного экеитона в приповерхностной области. В общем случае т т, где т - время жизни экситона в объеме кристалла, поскольку поверхностные дефекты уменьшают время жизни экеитонов. [25]
Эта частота с очень хорошим приближением может быть выражена через эффективное время жизни твфф неравновесных носителей в области базы ( см. стр. [26]
Минимально допустимое значение температуры определяется уменьшением коэффициента передачи за счет уменьшения эффективного времени жизни ( увеличения скорости поверхностной рекомбинации) и для всех полупроводниковых триодов, которые мы будем рассматривать, составляет - 60 С. [27]
 |
Зависимость барьерной Сб. [28] |
Тр - эффективное время жизни дырок в - области; т - эффективное время жизни электронов в р-области. [29]
Таким образом, Оже-рекомбинация при высоких уровнях инжекции дырок в базе снижает эффективное время жизни дырок. [30]
Страницы: 1 2 3 4