Антимонид
Cтраница 1
Синтез антимонидов не представляет таких трудностей, как синтез арсенидов и фосфидов. Так как компоненты антимонидов малолетучи и температура плавления относительно невысока, эти соединения могут быть получены простым сплавлением компонентов. В качестве материала тигля ( лодочки) обычно применяют графит, графитизированный кварц или корунд. Сплавление проводится в защитной нейтральной атмосфере аргона или водорода. Иногда ведут синтез в вакууме. При этом теряется часть сурьмы из-за ее большой летучести. Но с этим мирятся ради удаления некоторых летучих примесей, таких, как цинк и кадмий. [1]
Получение антимонида алюминия в тонких слоях возможно. Однако свойства таких слоев пока недостаточно удовлетворительны. [2]
 |
Диаграмма состояния системы Оа-Sb. [3] |
Плавление антимонида галлия сопровождается повышением плотности, что соответствует перестройке структуры ближнего порядка в направлении повышения координационного числа. [4]
 |
Схема двухтемпературного электропроводности с по. [5] |
Технология антимонидов алюминия и галлия не имеет принципиальных отличий. Поскольку алюминий взаимодействует с большинством известных тигельных материалов, то наиболее подходящим материалом для тигля при получении AlSb является алунд. Сурьмянистый алюминий, полученный из металлов технической чистоты, быстро разрушается на воздухе под воздействием водяных паров. При этом монолитные поликристаллические слитки превращаются в порошок с образованием гидроокиси алюминия. Химическая неустойчивость AlSb на воздухе не проявляется у чистых кристаллов. [6]
Компоненты антимонида галлия не обладают высоким давлением пара, поэтому его получают, сплавляя Ga и Sb в атмосфере водорода или аргона. При этом теряется некоторое количество сурьмы за счет испарения; для компенсации при синтезе берут избыток сурьмы примерно 5 % против стехиометрии. [7]
Получение антимонида алюминия в тонких слоях возможно. Однако свойства таких слоев пока недостаточно удовлетворительны. [8]
 |
Диаграмма состояния системы Оа-Sb. [9] |
Плавление антимонида галлия сопровождается повышением плотности, что соответствует перестройке структуры ближнего порядка в направлении повышения координационного числа. [10]
Образец дырочного антимонида индия имеет подвижность электронов 6 2 м2 / ( В-с) при Г290 К. [11]
Образец дырочного антимонида индия имеет подвижность электронов 6 2 м В - - с-1 при 290 К. [12]
 |
Некоторые свойства полупроводниковых соединений. [13] |
Технология изготовления антимонидов наиболее проста. К оборудованию для синтеза и получения монокристаллов арсенидов и фосфидов предъявляется ряд специфич. [14]
Зонную плавку антимонида проводят в атмосфере водорода в обычных аппаратах с нагревателем сопрртивления. [15]
Страницы: 1 2 3 4