Антимонид

Cтраница 3

Диаграмма состояния антимонида алюминия была впервые детально выяснена Г. Г. Урязовым [161] и указала на к-личие только одного соединения AlSb с температурой плавления 1060 С. Уразов пришел к выводу, что реакция между сурьмой и алюминием идет полностью, если сплав выдерживается при тщательном перемешивании при температуре выше температуры начала кристаллизации на 100 - 150 С. Трудность достижения равновесия при этой реакции автор объясняет химической инертностью сурьмы. [32]

Технология получения антимонида индия отличается наибольшей простотой по сравнению с его аналогами и наиболее развита в настоящее время. Антимонид индия получается сплавлением стехиометрических количеств элементов в эвакуированных и запаянных кварцевых ампулах при температуре, не превышающей 900 С. Для очистки весьма эффективен метод зонной перекристаллизации. [33]

Кристаллохимия арсенидов и антимонидов ( стибидов) скандия и иттрия почти не ( изучена. Во всех остальных случаях реализуются те же кристаллические структуры. В рядах, где катионообразователи - rf - элементы, сохраняются тетра-эдрические структуры. [34]

Кристаллохимия арсенидов и антимонидов ( стибидов) скандия и иттрия почти не изучена. Во всех остальных случаях реализуются те же кристаллические структуры. В рядах, где катионообразователи - d - элементы, сохраняются тетраэдрические структуры. [35]

Кристаллохимия арсенидов и антимонидов ( стибидов) скандия и иттрия почти не изучена. Во всех остальных случаях реализуются те же кристаллические структуры. В рядах, где катионообразователи - rf - элементы, сохраняются тетра-эдрические структуры. [36]

Ширина запрещенной зоны антимонида индия при 0 К составляет 0 27 эв. Эта величина почти не изменяется до температуры жидкого азота, затем линейно падает, достигая приЗОО К 0 18 эв. Благодаря небольшой ширине запрещенной зоны и малым значениям эффективных масс носителей электронный и дырочный газ в InSb уже при температурах значительно ниже комнатной вступает в область вырождения. Кроме того, при низких температурах коэффициент Холла почти не зависит от температуры. Это означает полную ионизацию примесей и малую энергию их активации в антимониде индия. [37]

Интерес представляет теплопроводность антимонида индия. Поэтому не случайна корреляция между теплопроводностью и природой химической связи. Решеточная теплопроводность уменьшается с увеличением доли ковалентности связи. [38]

Из оптических свойств антимонида индия следует отметить его аномальное поведение при поглощении света. Поглощение в чистых образцах I - nSb приходится на значительно более длинноволновую область спектра, чем в загрязненных. На рис. 59 и 60 приведены кривые основного края поглощения соответственно для загрязненного и чистого материала при различных температурах. С повышением температуры край основного поглощения смещается в длинноволновую сторону. Это связано с уменьшением ширины запрещенной зоны антимонида индия с повышением температуры. [39]

Главной остаточной примесью антимонида индия является, вероятно, теллур, который очень трудно удалить до конца из-за его необычного поведения. Дело в том, что в зависимости от структуры кристалла коэффициент распределения теллура может быть и больше и меньше единицы. Это не только осложняет отделение его, но и вызывает неравномерное распределение примеси теллура по объему слитка. Приходится тщательно гомогенизировать слиток с помощью электромагнитного перемешивания расплавленной зоны. Монокристаллы InSb получают вытягиванием из расплава, затем их промывают и подвергают травлению. [40]

Изотермы вязкости расплавов в системе Ge - Al-Sb.| Изотермы вязкости расплавов в системе Si - Al - Sb. [41]

Если сравнить поведение антимонида алюминия в жидких и твердых растворах на основе соответственно германия и кремния, то нетрудно увидеть аналогию. Это подтверждает правильность высказанного выше предположения о том, что проявление взаимодействия в твердом состоянии связано с проявлением его в жидком состоянии. [42]

Получен спектр кристалла антимонида индия в инфракрасной области. Край поглощения находится вблизи 3 2 мк. Сообщается о влиянии различных присадок на край поглощения. [43]

Новые виды структур антимонида индия, фосфида индия с диэлектрическим покрытием на основе окиси кремния, нитрида германия либо собственного окисла необходимы для создания приборов с зарядовой связью, функцией которых являются преобразование и статическая обработка видоизображений в инфракрасной и видимой областях спектра. Основной проблемой в технологии создания этих структур является обеспечение высокого качества поверхности раздела полупроводник - диэлектрик. Любые нарушения этой границы создают неконтролируемые энергетические уровни поверхностных состояний. [44]

Спектры поглощения загрязненного InSb.| Спектры поглощения чистого InSb. [45]

Страницы: 1 2 3 4