Антимонид
Cтраница 2
 |
Проекция линии трехфазного-равновесия на плоскость р - Т в системах. Ga - As ( a. [16] |
За исключением антимонидов, все соединения Аш Вv обладают высокой упругостью пара компонента Bv над расплавом за счет значительной диссоциации соединений при плавлении. [17]
Зонную плавку антимонида проводят в атмосфере водорода в обычных аппаратах с нагревателем сопротивления. [18]
Технология получения антимонида индия отличается наибольшей простотой по сравнению с его аналогами и наиболее развита в настоящее время. Антимонид индия получается сплавлением стехиометрических количеств элементов в эвакуированных и запаянных кварцевых ампулах при температуре, не превышающей 900 С. Для очистки весьма эффективен метод зонной перекристаллизации. [19]
 |
Спектр поглощения [ IMAGE ] Спектр отражения антимо-колебаниями решетки в герма - нида индия. [20] |
Спектр отражения антимонида индия содержит хорошо выраженную полосу в области Х-50 мк, обусловленную колебаниями решетки. [21]
Спектр отражения антимонида индия содержит хорошо выраженную полосу в области А 50 мкм, обусловленную колебаниями решетки. При малой температуре, когда концентрация носителей заряда мала, отражение имеет чисто диэлектрический характер, обусловленный коэффициентом преломления. При комнатной температуре проявляется отражение, связанное с поглощением свободными носителями заряда. Коэффициент отражения возрастает с ростом длины волны, пока К kfp; при Я, Ягр он остается постоянным. [22]
Реакция образования антимонида алюминия протекает медленно. Максимальная скорость наблюдается при температуре около 1200 С. Увеличению скорости процесса, а также получению хороших кристаллов способствует вибрационное перемешивание. Очищают антимонид алюминия зонной перекристаллизацией в лодочках из глинозема. При этом железо, медь, кремний, магний, свинец и кальций, составляющие основную примесь в исходных веществах, концентрируются на одном конце слитка. Монокристаллы антимонида алюминия получают по методу Чохральского. [23]
Электрические свойства антимонида алюминия исследованы недостаточно. Нелегированные поли - и монокристаллические образцы AlSb имеют дырочную проводимость. Посторонними акцепторными примесями являются цинк и кадмий. Медь в AlSb действует как акцептор и очень быстро диффундирует, как в германии. [24]
Тонкие слои антимонида кадмия получены направленной кристаллизацией расплава в зазоре между диэлектрическими неориентирующими подложками. Процесс кристаллизации и характер распределения примеси в слоях определяются формой поверхности и скоростью движения фронта кристаллизации. [25]
Методы очистки антимонида галлия разработаны еще недостаточно. Мало изучено и поведение примесей при его кристаллофизической очистке. В результате зонной плавки получается материал, содержащий примеси, природу которых определить не удается. Вследствие этого зонную плавку антимонида проводят только с целью гомогенизации образцов. Монокристаллы антимонида выращивают по методу Чохральского в атмосфере водорода на обычных установках. Выращивание из расплава, обогащенного сурьмой, дает монокристаллы более высокого качества. По-видимому, избыток сурьмы способствует получению более стехиометрических кристаллов, а также, возможно, изменяет коэффициент распределения примеси, который в обычном расплаве близко к единице. [26]
Технология получения антимонида галлия мало отличается от технологии получения антимонида индия. Основная задача заключается в уменьшении действия факторов, препятствующих повышению чистоты материала. Избыток сурьмы в расплаве позволяет несколько уменьшить концентрацию акцепторов, но не устраняет полностью указанного эффекта. [27]
На примере антимонида галлия изучены особенности сложного ( примесями РЗМ и элементами II и IV групп) легирования соединений А3В5 при формировании гетероструктур методом жидкофазной эпитаксии. [28]
Методы очистки антимонида галлия разработаны еще недостаточно. Мало изучено и поведение примесей при его кристаллофизической очистке. В результате зонной плавки получается материал, содержащий примеси, природу которых определить не удается. Вследствие этого зонную плавку антимонида проводят только с целью гомогенизации образцов. Монокристаллы антимонида выращивают по методу Чохральского в атмосфере водорода на обычных установках. Выращивание из расплава, обогащенного сурьмой, дает монокристаллы более высокого качества. По-видимому, избыток сурьмы способствует получению более стехиометрических кристаллов, а также, возможно, изменяет коэффициент распределения примеси, который в обычном расплаве близко к единице. [29]
При анализе антимонида индия остаток растворяют при нагревании в 5 мл 25 % - ного раствора лимонной кислоты, затем вводят 20 мл соляной кислоты ( 1: 7), 0 5 мл раствора арсената натрия, 1 мл раствора хлорида олова ( II), 10 мл раствора гипофосфита натрия и немного фильтрбумажной массы. [30]
Страницы: 1 2 3 4