Антимонид

Cтраница 4

Отсюда в загрязненных образцах антимонида индия смещение основного края поглощения происходит в сторону более коротких волн. [46]

Влияние условий выращивают монокристаллов антимонида индия на их структуру и механические свойства. [47]

Антимонид алюминия отличается от антимонидов галлия и индия значительной реакционной способностью. В связи с этим получение сурьмянистого алюминия более сложно. [48]

Описываются особенности получения монокристаллов антимонида индия постоянного диаметра и с однородным распределением примеси во вращающемся контейнере. [49]

Наиболее полно разработана технология получения антимонидов. Антимо-ниды имеют благоприятные с технологической точки зрения физико-химические свойства: низкую упругость паров и умеренные температуры плавления. Агрессивность расплавов большинства антимонидов по отношению к распространенным тигельным материалам также невелика. [50]

Методы выращивания тройных арсенидов и антимонидов при помощи газотранспортных реакций в литературе не описаны. Наши опыты, поставленные для выяснения возможности выращивания кристаллов CdSnAs2) а также некоторых тройных антимонидов с помощью различных транспортеров пока не дали положительных результатов. [51]

В качестве флюса при пайке антимонида индия служит хлористый цинк. Флюс для арсенида индия состоит из 15 % хлористого аммония, 70 % хлористого цинка, 10 % глицерина и 5 % дистиллированной воды. Пайка осуществляется паяльником с жалом диаметром 2 - 3 мм. Припоем служит чаще всего пищевое олово или индий. [52]

Зависимость-IgW от / Т для травления монокристаллов Ge ( /, GaAs ( 2 и InAs ( 3, ориентированных в направлении, в 2 0 н. хлорнокис-лом растворе 1 5 н. хлорного железа. [53]

Подтверждение диффузионного характера процесса растворения антимонидов галлия и индия было получено при исследовании растворения их методом вращающегося диска. [54]

Область гомогенности некоторых арсенидов и антимонидов ниобия и тантала мала. Параметры решеток отдельных фаз при различных начальных соотношениях компонентов почти не изменяются. [55]

Функциональный прибор на основе эффекта Холла. [56]

Для изготовления микросхем пластину монокристалла антимонида индия толщиной б мкм приклеивают к стеклянной подложке толщиной 100 мкм. Затем производят вытравливание схемы генератора Холла в антимониде индия с помощью обычного метода фотолитографии. [57]

При синтезе неразлагающихся полупроводниковых соединений ( антимонидов) последующие технологические операции ( дополнительная очистка, легирование, выращивание монокристаллов и др.) принципиально не отличаются от применяемых в технологии кремния и германия. Основные особенности очистки и выращивания монокристаллов разлагающихся соединений связаны с необходимостью герметизации рабочего объема для подавления испарения летучего компонента. [58]

Ход изменения теплот образования арсенидов, антимонидов и висмутидов одного и того же металла существенно зависит от его природы. Как видно из этих данных, для соединений Na теплоты образования почти одинаковы, а в случае Са - очень различны. [59]

Страницы: 1 2 3 4