Эпитаксиальное выращивание
Cтраница 1
Эпитаксиальное выращивание представляет собой процесс осажде-ни я атомов кремния из, газовой фазы и получение монокристаллического слоя ( эпитаксиального) кремния. [1]
Эпитаксиальное выращивание представляет собой один из видов синтеза монокристаллов и имеет поэтому много общего с ростом кристаллов из раствора или расплава. Доминирующим фактором эпитаксиального роста является поверхностная подвижность, осажденных атомов. Рост кристалла из газовой фазы происходит быстрее, чем из разбавленного раствора, но медленнее, чем из чистого расплава. [2]
 |
Основные типы парофазной эпитаксии кремния. [3] |
Эпитаксиальное выращивание - это процесс упорядоченного осаждения тонкого монокристаллического слоя материала, который повторяет кристаллическую структуру подложки. Этот слой служит матрицей для изготовления полупроводниковых компонентов в последующих операциях диффузии. В большинстве случаев эпитаксиальные пленки выращиваются на подложках из того же материала, например кремний на кремнии. Этот процесс называется гомоэпи-таксией. Но могут применяться и разные материалы с близкой кристаллической структурой, например пленка кремния на сапфировой подложке. Такой процесс называется гетероэпи-таксиальным наращиванием. [4]
Эпитаксиальное выращивание кристаллов производится за счет осаждения паров полупроводникового материала на подложку того же полупроводника, которая нагрета до температуры ниже точки его плавления. [6]
Эпитаксиальному выращиванию кремния посвящено большое количество работ в связи с широким его применением в создании разнообразных полупроводниковых устройств. Выявлено много важных закономерностей по механизму роста, структуре дефектов и распределению примесей. [7]
При эпитаксиальном выращивании из паровой фазы создаются такие условия, при которых один из полупроводниковых материалов, содержащихся в паровой фазе, конденсируется на кристаллической подложке из другого полупроводникового материала. [8]
При эпитаксиальном выращивании подложкой может быть как монокристаллическая пластина того же материала, так и изоляционные материалы с близкой структурой. [9]
 |
Конструктивные исполнения датчиков Холла. [10] |
При эпитаксиальном выращивании подложкой может быть как монокристаллическая пластина того же материала, так и изоляционные материалы. [11]
 |
Схема установки для эпитаксиального выращивания пленок кремния хлоридным методом. [12] |
При эпитаксиальном выращивании особые требования предъявляются к качеству подложек. [13]
При эпитаксиальном выращивании из жидкой фазы было обнаружено, что структуры слоев, наращенных на подложках, полированных алмазной пастой, окисью кремния или химически, практически не отличаются. Часто они связаны с дефектами упаковки, плотность которых не превышает 1 - Ю2 см-2. Результаты рентгеновского локального микроанализа показали, что эти включения являются областями, обогащенными Ga. Дефекты упаковки, видимо, являются местами, на которых образуются или закрепляются эти выделения. При снятии химической полировкой эпптаксиального слоя толщиной 40 мкм крупные сферические включения, наблюдаемые ранее в оптическом и инфракрасном микроскопах, исчезают. [14]
При эпитаксиальном выращивании пленок наиболее строгие требования предъявляются к чистоте поверхности. Хотя этот метод ( LEED) и дает воспроизводимые результаты, однако Бауэром недавно было показано, что его чувствительность ограничена одним монослоем. [15]
Страницы: 1 2 3 4