Эпитаксиальное выращивание

Cтраница 2

Тогда как Эпитаксиальное выращивание представляет собой специфический вид CVD-осаждения, при котором осаждаемый слой имеет ту же самую кристаллографическую ориентацию, что и подложка, неэпитаксиальное CVD-осаж-дение - это образование устойчивого соединения на нагретой подложке при термической реакции или разложении газообразных соединений. [16]

Реакционный аппарат для эпи-таксиального выращивания теллурида кадмия. [17]

Пробные эксперименты по эпитаксиальному выращиванию CdTe методом пересублимации в потоке водорода показали, что на характер осаждения материала большое влияние оказывает начальный период процесса, связанный с нагревом источника и подложек до заданных температур. Этот так называемый инкубационный период является обычно трудно контролируемой частью процесса и поэтому его длительность была по возможности сведена до минимума, что достигалось путем предварительного вывода реакционного аппарата на температурный режим и последующего введения в него с помощью магнита легких кварцевых конструкций, несущих материал источника и подложки. [18]

Схема процесса диффузии в запаянной ампуле. [19]

Формирование объемной, трехмерной микросхемы производят эпитаксиальным выращиванием монокристаллических полупроводниковых слоев ( см. § 6 гл. Эпитаксиальные пленки повторяют структуру подложки и могут быть получены с заданным распределением примеси по объему. Это дает возможность последовательного формирования объема микросхемы. [20]

Наиболее успешный путь изготовления дрейфовых элементов - эпитаксиальное выращивание слоев Si, при котором варьирование NA можно осуществлять в процессе роста. [21]

Структура с диэлектрической изоляцией.| Транзистор с изоляцией. [22]

Затем со всей поверхности кристалла удаляют SiO2, проводят эпитаксиальное выращивание высокоомного кремния р-типа и пластину вновь окисляют. Термически выращенный толстый слой SiO2 и является изолирующим диэлектрическим слоем. Последующие процессы формирования элементов при изопланарном методе проводятся в той же последовательности, что и при изоляции р-и-переходом. [23]

На это следует обращать особое внимание, например, при эпитаксиальном выращивании и травлении GaAs. Очевидно, что для кремния такое различение не требуется. [24]

Дальнейшие перспективы снижения плотности дислокаций в такого рода гетероком-позициях связаны с эпитаксиальным выращиванием на профилированных подложках ( меза-структуры, пористые пластины), а также с использованием метода прямого соединения пластин. [25]

Активный слой обычно формируется ионной имплантацией, например кремния, или эпитаксиальным выращиванием тонкой пленки n - типа. Толщина активного слоя около 0 3 мкм, а концентрация примеси - примерно 3 - Ю17 см-3. [26]

В кристаллах гранатов R3Fe5012 одноосная анизотропия с q 1 получается при эпитаксиальном выращивании пленок гранатов. Анизотропия возникает в процессе роста или за счет упругих напряжений, обусловленных наличием подложки. В таких гранатах намагниченность насыщения составляет 4тгМ0 ( 100 - 200) гс, а диаметр доменов 30 ( 5 - 10) мкм. [27]

Одним из наиболее прогрессивных методов полупроводниковой техники для изготовления твердых схем является эпитаксиальное выращивание кристаллов. [28]

Одним из наиболее прогрессивных методов полупроводниковой техники для изготовления твердых схем является эпитаксиальное выращивание кристаллов. Эпитаксиальный процесс состоит из выращивания ПП кристалла из паровой фазы путем осаждения на ПП подложку. Этот метод позволяет изготовлять многослойные структуры, в к-рых с высокой точностью выдержаны заданные толщины слоев и их сопротивления. Эпитаксиальная технология особенно пригодна для микросхем с большим числом слоев сложной конфигурации. Примером, иллюстрирующим возможности эпитаксиалыюй технологии, являются разработанные фирмой Дженерал Электрик ( США) кремниевые логич. Кремниевая квадратная пластина со сторонами 25 4 мм содержит 1100 транзисторов или диодов и 4200 сопротивлений. [29]

Образование электронно-дырочного р - - перехода достигается методами вплавления, диффузии, а также эпитаксиальным выращиванием кристаллов и другими способами. Метод вплавления заключается в том, что в подготовленное основание из полупроводника определенной проводимости вплавляют материал, имеющий противоположную проводимость. Так, например, р - n - переход может быть получен, если основание схемы выполнить из кремния типа п и в верхний слой вплавить атомы алюминия. Площадь и глубину переходов регулируют количеством и размерами участков, которые подвергаются сплавлению, а также температурой и режимом проведения технологического процесса. [30]

Страницы: 1 2 3 4