Эпитаксиальное выращивание

Cтраница 4

Они применяются в качестве высокочастотных усилителей ( от 2 до 18 ГГц) для радарных, телекоммуникационных и телеметрических установок, а также для октавных и многооктавных усилителей, применяющихся в электронных военных системах. Основные этапы изготовления включают жидкофаз-ное эпитаксиальное выращивание, технологические и нетехнологические процессы, аналогичные процессам, применяемым при изготовлении кремниевых приборов. [46]

Выращивание кристаллов из паров, или, как говорят иначе, из газовой фазы, в однокомпонентной системе имеет довольно ограниченное применение и в целом ряде способов настолько аналогично выращиванию в моногокомпонентной системе, что мы в этой главе будем рассматривать сразу и то и другое. К выращиванию из газовой фазы прибегают и для получения больших кристаллов, и для получения тонких пленок на кристаллах, выращенных другими методами. Последний метод обычно называют эпитаксиальным выращиванием из газовой фазы ( разд. Одно из преимуществ методов выращивания из газовой фазы заключается в том, что при таких методах очень часто оказывается возможным заранее рассчитать константы равновесия предполагаемых реакций и их температурную зависимость ( разд. [47]

Для больших меза-планарных структур при удельном сопротивлении высокоомного коллекторного слоя 3 - 5 ом см, при точном соблюдении минимально допустимых размеров толщины этого слоя и на не очень больших токах ( до 10 - 20 а) могут быть достигнуты значения гнас-0 03 - т - 0 05 ом. Однако трудности, связанные с обеспечением заданной толщины высокоомного слоя, некоторый вклад в гнас, вносимый низкоомным коллекторным слоем, и другие затруднения, связанные с осуществлением операции встречной диффузии и последующей сошлифовки значительной части пластины кремния, заставили искать какие-то другие пути получения исходных кремниевых пластин для создания транзисторов в виде двухслойных структур с тонким высокоомным и толстым низкоомным слоем. Для маломощных транзисторов в настоящее время эпитаксиальное выращивание практически полностью заменило встречную диффузию. В случае мощных транзисторов использование эпитаксиального выращивания связано с определенными затруднениями, которые будут рассмотрены в следующем параграфе. [48]

Наращивание слоя, кристаллическая решетка которого является непосредственным продолжением решетки исходного кристалла. Наращиваемый слой может при этом заданным образом легироваться. Описаны, например, методы, при которых эпитаксиальное выращивание используется для создания в транзисторных структурах перехода коллектор - база. [49]

Образование ступенек и пирамидальных углублений, ограненных поверхностями, при попытках расколоть монокристалл NaCl по плоскостям и. [50]

Несложный геометрический расчет привел [22] к выводу, что поверхность ступенек только в У 2 больше плоскости ( 110) и поверхность пирамидок в ] / 3 раза больше плоскости ( 111) ( рис. IV.22), поэтому поверхностная энергия ступенек и пирамидок, образованных плоскостями 100, существенно меньше и, значит, образование граней 110 и 111 невозможно. Из вышеприведенного расчета следует, что грани 110 и 111 термодинамически неустойчивы в отношении перехода в ступеньки и пирамидки из граней 100, которые и должны образовываться, но с оговоркой: если это позволяют условия и кинетика реакции. Конечно, следует, например, считать, что если бы удалось расколоть кристалл NaCl точно по граням 110 и 111, то, растворяя кристалл в воде, мы наблюдали бы образование на этих гранях лестниц, соответственно пирамидок. При эпитаксиальном выращивании монокристаллических пленок часто осуществляют сколы по 110 и 111 и утверждают, что именно на этих плоскостях осуществлялся синтез пленок. Очевидно, что такое априорное утверждение необоснованно ( см. гл. [51]

Согласно этому предложению на подложку из высококачественного слаболегированного кремния, пригодного для изготовления мощных транзисторов, наращивается сильнолегированный эпитаксиальный слой толщиной порядка 150 - 200 мк, к структурному совершенству которого не предъявляется серьезных требований. После выращивания этого слоя слаболегированная подложка сошлифовывается до тех пор, пока оставшаяся толщина высокоомного слоя не станет достаточно малой для обеспечения низкого сопротивления насыщения. С использованием обратного ( или обращенного) эпитаксиального наращивания изготовлены транзисторы ЗТХ002 - ЗТХ004 фирмы ITT. Однако в этом методе, как и в обычном эпитаксиальном выращивании, имеются свои сложности. Они связаны в основном с необходимостью выращивания очень толстых слоев. При этом, как правило, плоскостность растущей пленки нарушается, она может, кроме того, начать нарастать на нижней стороне подложки. [52]

Полупроводниковые Я / С - Разработана технология выращивания НК полупроводников при одновременном действии двух методов кристаллизации из газовой фазы с участием химических транспортных реакций. Вначале с большей скоростью выращивается лидер по методу пар-жидкость-кристалл, а затем на нем производится наращивание слоев в радиальном направлении по методу пар-кристалл. В результате НК имеет двухслойную структуру. Следует заметить, что качество получаемых электронных структур весьма высокое, так как периферийные слои наращиваются на совершенной боковой поверхности НК и дислокации несоответствия ( обычно наблюдаемые при эпитаксиальном выращивании пленок) отсутствуют. [53]

Излучение в них генерируется в результате переходов между энергетич. Активные элементы изготовляют из монокристаллов ( напр. ОаАз, 1пАя, РЬ8), содержащих в своем объеме области, для к-рых характерен электронно-дырочный переход ( р - н-переход), и из кристаллич. Наиб, распространены гетероструктуры, образованные слоями полупроводников типа А ВУ на основе арсенидов, фосфидов, антимонидов Оа и А1 и их твердых р-ров. Гетероструктуры получают также на основе многокомпонентных ( тройных и более) твердых р-ров замещения ( напр. А Са Аз), в к-рых при изменении состава в широких пределах период решетки не меняется. Полупроводниковые монокристаллы получают из особо чистых исходных в-в кристаллизацией из расплавов ( метод Чохральского, горизонтально направленная или зонная кристаллизация в контейнере, бестигельная зонная плавка) и эпитаксиальным выращиванием тонких кристаллич. Необходимые характеристики достигаются введением примесей в расплав или методом ионного внедрения примесных атомов. В качестве легирующих примесей используют, напр. [54]

Страницы: 1 2 3 4