Эпитаксиальное выращивание

Cтраница 3

В настоящее время р - n - переходы большой площади можно изготавливать различными методами, включая сплавление, диффузию, эпитаксиальное выращивание и ионное внедрение. [31]

Эпитаксиальные пленки карбида кремния представляют определенный технологический интерес, так как они могут быть использованы в электронных приборах, работающих при повышенных температурах и повышенном уровне радиации. Эпитаксиальное выращивание карбида кремния является сложным процессом, поскольку он находится в виде [ 5-модификации с кубической структурой цинковой обманки и в виде а-моднфикации, имеющей множество политипов с гексагональной и ромбоэдрической структурой. Кристаллическая решетка SiC содержит тетраэдрально связанные слои атомов Si и С. Для использования в приборах наиболее подходит кубический SiC, так как он иу е: высокую подвижность носителей. [32]

ПО) и 111, то, растворяя кристалл в воде или в растворе NaCl в воде, мы наблюдали бы образование на этих гранях лестниц, соответственно пирамидок. При эпитаксиальном выращивании монокристаллических пленок часто осуществляют сколы по 110) и 111 и утверждают, что именно на этих плоскостях осуществлялся синтез пленок. Очевидно, что такое априорное утверждение необоснованно, если на сколы могли попасть пары воды из воздуха. [33]

С помощью эпитаксиальной технологии реализуется двухслойная структура коллектора: низкоомная исходная пластина и выращенный тонкий высокоомный слой. Для маломощных транзисторов эпитаксиальное выращивание практически полностью заменило встречную диффузию. В настоящее время метод эпитак сиаль-ного выращивания считается более перспективным, чем метод обратной эпитаксии ( обращенного эпитаксиального наращивания) и метод встречной диффузии. Применение эпитаксиальных пленок улучшает три параметра диффузионных транзисторов: повышает пробивное напряжение коллекторного перехода, уменьшает сопротивление тела коллектора ( кэ нас) и емкость Ск. Кроме того, эпи-таксиальные приборы имеют более слабую зависимость коэффициента усиления от тока эмиттера. [34]

Раньше разработчику проиходилось идти на компромисс при выборе удельного сопротивления исходного материала, так как, с одной стороны, большему р соответствовали большее пробивное напряжение и меньшая емкость, а с другой, - значительные потери мощности. Теперь, применяя эпитаксиальное выращивание, можно существенно увеличивать удельное сопротивление эпитак-сиального слоя и тем самым иметь запас по напряжению и емкости, не боясь слишком резкого увеличения паразитных потерь. В настоящее время большинство пленарных транзисторов изготавливается с применением метода эпитаксиального выращивания. [35]

Возросшее внимание к методу химического осаждения из паровой фазы в тридцатые годы нашего столетия было вызвано возможностью его использования для получения тугоплавких соединений, в том числе карбидов, нитридов, силицидов, боридов и оксидов металлов, а также сульфидов, селенидов, теллуридов, интерметаллических соединений и сплавов. Результатом экспериментов по эпитаксиальному выращиванию полупроводниковых материалов явилось широкое признание метода химического осаждения из паровой фазы, позволяющего получать полупроводники в виде тонких слоев. [36]

Различные этапы планарной технологии изготовления полупроводниковой микросхемы. [37]

На этой стадии используются диффузия, эпитаксиальное выращивание, сплавление, фотолитография, повторяемые в определенной последовательности. Вторая группа процессов приводит к образованию соединений между элементами и контактных пятачков каждой отдельной микросхемы. Здесь применяют металлизацию через специальные маски и термокомпрессию. [38]

Схема полусдвигающего регистра. [39]

И триггер и сдвоенная переключающая схема И - ИЛИ. Одним из новых прогрессивных технологических методов полупроводниковой техники является эпитаксиальное выращивание кристаллов. Эпи-таксиальный процесс состоит из выращивания полупроводникового кристалла из паровой фазы путем осаждения на полупроводниковую подложку. [40]

По обеим сторонам затвора создают прокладки из диоксида кремния, обеспечивающие в дальнейшем самосовмещение стоковой и исто-ковой областей с затвором. Эти области п - типа толщиной 0 4 мкм получают селективным эпитаксиальным выращиванием с помощью химического осаждения из металлоорганических соединений. Омические контакты к истоковой и стоковой областям создают нанесением металлического слоя, представляющего собой сплав золото - германий. Малые расстояния исток - затвор и сток - затвор позволяют уменьшить паразитные ( неуправляемые) сопротивления этих областей и повысить крутизну транзистора до S / b - 250 мСм / мм. В данноп структуре ослабляются эффекты короткого канала, проявляющиеся в рассмотренных выше структурах с имплантированными областями истока и стока, проникающими в подложку на глубину, большую чем глубина самого канала. [41]

Мощные высокочастотные транзисторы имеют структуру с диффузионной базой и их выходные характеристики в области малых напряжений имеют такой вид, как показано на этих рисунках. Даже если в этих транзисторах оптимальным образом использованы встречная диффузия или эпитаксиальное выращивание, их выходные характеристики могут приблизиться к показанным на рис. 6 - 11 а только на низких частотах. На высоких частотах причины, вызывающие спад коэффициента усиления с ростом тока, проявляют себя более резко. В связи с тем что коэффициент усиления по току на высоких частотах значительно меньше, чем на постоянном токе, сильно возрастает величина базового тока. Эти причины, а также некоторые другие, еще не вполне выясненные обстоятельства приводят к тому, что на высоких частотах модуль коэффициента усиления по току р / падает с ростом тока более резко, а участок напряжений, на котором выходные характеристики не достигли насыщения, может значительно увеличиться. [42]

В настоящее время при изготовлении полупроводниковых интегральных микросхем на биполярных транзисторах наиболее широко применяют планарно-эпитакеиальную технологию. Ее отличительной особенностью является то, что коллекторные области структур создаются эпитаксиальным выращиванием слоя кремния га-типа проводимости на подложке р-типа, а базовые и эмиттер-ные - диффузией легирующих примесей в эпитаксиальный слой. Причем змиттерные области формируются диффузией донорных примесей максимально возможной концентрации. [43]

Зависимость толщины пленки CdxHgl xfe от температуры выращивания ( d 5 мм, г10 ч.| Зависимость толщины пленки Cd Hgi Te от расстояния между источником и подложкой ( Г600 С, 10 ч. [44]

Для получения эпитаксиальных слоев CdxHgi x Те применялся метод испарения - диффузии в изотермических условиях. Выбор этого метода был обусловлен его простотой и возможностью получения материала, имеющего контролируемый и воспроизводимый состав. Эпитаксиальное выращивание твердых растворов методом испарения - диффузии в изотермических условиях описано в литературе достаточно подробно [ 1 - 51, однако наиболее полные исследования проведены в основном для случаев малых ( десятки - сотни микрон) расстояний между источником и подложкой. [45]

Страницы: 1 2 3 4