Вырождение - электронный газ
Cтраница 1
Вырождение электронного газа различным образом влияет на т при высоких и низких температурах. Вырождение приводит к тому, что состояние, в которое электрон должен перейти после взаимодействия с фононом, окажется занятым. Поэтому с увеличением количества электронов вероятность перехода их в состояния с меньшим значением энергии уменьшается. [1]
Вырождение электронного газа ликвидирует парадокс. [2]
Вырождение электронного газа является прямым следствием одного из основных принципов квантовой физики - принципа Паули: Согласно этому принципу, в каждом квантовом состоянии - может находиться не более одного электрона. [3]
 |
Удельная проводимость. [4] |
Оно обусловлено вырождением электронного газа. Следует отметить, что кривая собственной проводимости, если ее сравнивать с кривыми для легирования материалов, не соответствует минимальной проводимости, как это наблюдается в кремнии, германии и других полупроводниках AnlBv. Из рис. 20.15 видно, что кривые проводимости образцов р-типа опускаются ниже. [5]
Отметим, что вырождение электронного газа также приводит к появлению слагаемых, которые можно истолковать как эффективное отталкивание. Однако эти слагаемые начинают сказываться при значительно больших плотностях. Квантовые же эффекты во взаимодействии частиц необходимо учитывать и в невырожденной сильно неидеальной плазме. [6]
ПРИ любой степени вырождения электронного газа, если известна концентрация носителей заряда. [7]
Величина TF называется температурой вырождения электронного газа. [8]
Пунктирная область изображает наличие вырождения электронного газа в зоне проводимости. [9]
 |
Изменение характера функции распределения фер-мионов по состояниям с повышением температуры. [10] |
Поэтому однозначным критерием степени вырождения электронного газа может служить только положение уровня Ферми: чем ниже на шкале энергий располагается уровень Ферми, тем в менее вырожденном состоянии находится электронный газ. [11]
А - коэффициент, зависящий от степени вырождения электронного газа и механизма рассеяния носителей заряда. [12]
При какой концентрации свободных электронов в кристалле температура вырождения электронного газа в нем равна 0 С. [13]
 |
Температурная зависимость удельной проводимости InSb. [14] |
Искривление кривой собственной электропроводности при высоких температурах объясняется вырождением электронного газа. [15]
Страницы: 1 2 3 4