Вырождение - электронный газ
Cтраница 2
Как видно из ( 9 - 46), вырождение электронного газа может наступить в случае низкой температуры или высокой концентрации частиц. [16]
Оценить ошибку, которая вносится, если не учитывать вырождение электронного газа в зоне проводимости. [17]
Как видно из ( 9 - 46), вырождение электронного газа может наступить в случае низкой температуры или высокой концентрации частиц. [18]
Можно показать, что это имеет место для любой степени вырождения электронного газа. [19]
Дв-о Я0, в - о о ПРИ любой степени вырождения электронного газа, если известна концентрация носителей заряда. [20]
А - член, зависящий от механизма рассеяния носителей и от степени вырождения электронного газа. [21]
При выводе соотношения ( 3) в работе [5], кроме предположения о вырождении электронного газа, делалось предположение о том, что каждый электрон движется по одной и той же изоэнер-гетической поверхности. Это предположение является обобщением предположения об упругости рассеяния носителей. Оно могло бы быть нарушено лишь из-за рассеяния носителей на фононах в области низких температур. Однако в рассматриваемых материалах при низких температурах фононное рассеяние несущественно, и потому соотношение ( 3) можно считать справедливым во всем интервале температур, где электронный газ вырожден. [22]
 |
Спектры поглощения загрязненного InSb.| Спектры поглощения чистого InSb. [23] |
Благодаря малой эффективной массе электронов в антимониде индия с увеличением концентрации примесей быстро наступает вырождение электронного газа. Тогда уровень химического потенциала поднимается выше дна зоны проводимости, и все энергетические уровни в свободной зоне ниже уровня Ферми оказываются занятыми. [24]
Формулы ( 1) - ( б) не связаны с какими-либо предположениями о степени вырождения электронного газа. От этих предположений зависит лишь связь концентрации электронов с положением уровня Ферми. [25]
 |
Зависимость ZT от уровня химического потенциала и термоЭДС при различных значениях pz. [26] |
Расчет оптимальной концентрации для веществ с более сложным энергетическим спектром носителей тока или характером рассеяния при учете вырождения электронного газа и других факторов является задачей трудной, так как для большинства веществ необходимые микроскопические константы или вовсе не известны, или оп - - ределены с недостаточной точностью. [27]
Величина, стоящая в левой части написанного уравнения, является, согласно формуле ( 4), критерием вырождения электронного газа: если она мала, то распределение Ферми переходит в распределение Максвелла. Если п приближается к 1019 ( либо потому, что ге0 велико, либо потому, что R мало), то электронный газ становится вырожденным, а электропроводность приближается к единице. [28]
В настоящей работе дан анализ зависимости величины х2а от эффективной массы в том предположении, что в полупроводнике отсутствует вырождение электронного газа. [29]
На основе исследований температурных зависимостей удельной электропроводности и эффекта Холла образцов п-типа системы 3 установлена слабая зависимость указанных эффектов от температуры, что свидетельствует о вырождении электронного газа и о ионизации примесей. [30]
Страницы: 1 2 3 4