Высота - потенциальный барьер
Cтраница 2
 |
Круговые диаграммы на комплексной плоскости е - е для полиарилата-4 в области - перехода ( числа у точек на кривых соответствуют частоте внешнего электрического поля в герцах. [16] |
Высота потенциального барьера ( энергия активации элементарного акта перескока) зависит только от строения и размеров релаксирующей кинетической единицы и от условий, в которых происходит ее перемещение. [17]
Высота потенциального барьера между состояниями метастабильного равновесия растет с увеличением высоты микронеровностей. [18]
Высота потенциального барьера ( или контактная разность потенциалов) в р - - переходе равна Дср0 рр - цп и зависит от положения уровня Ферми в р - и - областях. Увеличение концентрации примесей в любой из областей смещает уровень Ферми от середины запрещенной зоны, а следовательно, и увеличивает высоту потенциального барьера. Уменьшение концентрации примесей, наоборот, снижает потенциальный барьер. [19]
Высота потенциального барьера для электронов, переходящих из полупроводника в металл, qUj определяется изгибом зон в полупроводнике ( рис. 1.7, г), где Uj носит название контактной разности потенциалов. [20]
Высота потенциального барьера увеличивается при возрастании энергии переходного состояния и уменьшается с повышением энергии молекулы. [21]
Высота потенциального барьера в равновесном состоянии не учитывается. [22]
Высота потенциального барьера вращения, естественно, тем больше, чем больше разность максимального и минимального значений энергии взаимодействия атомов или групп атомов при их вращении относительно друг друга. Понятно также, что свободное вращение затруднено тем больше, чем больше по размеру атомы, связанные с углеродными атомами. Опыт показал, что даже когда углеродные атомы связаны со сравнительно малыми атомами водорода, свободное вращение вокруг связи С-С требует энергии активации порядка 3000 кал / моль. [23]
Высота потенциального барьера па границе металла может быть определена экспериментально, независимо от термоэлектронной эмиссии. При малых скоростях электронов, падающих на поверхность металла, направления, на которые приходятся максимумы отраженных пучков электронов, определенные согласно соотношению ( 1 2), не совпадают с наблюденными. Это происходит потому, что при диффракщш электронов отражение электронных волн происходит не от одного внешнего ряда узлов пространственной решетки металла, а и от внутренних слоев этой решетки. [24]
Высота потенциального барьера инверсии в аммиаке составляет приблизительно 2070 см. 1 по сравнению с энергией в нулевой точке. [25]
Высота потенциального барьера вращения, естественно, тем больше, чем больше разность максимального и минимального значений энергии взаимодействия атомов или групп атомов при их вращении относительно друг друга. Понятно также, что свободное вращение затруднено тем больше, чем больше по размеру атомы, связанные с углеродными атомами. Опыт показал, что даже когда углеродные атомы связаны со сравнительно малыми атомами водорода, свободное вращение вокруг связи С-С требует энергии активации порядка 3000 кал / моль. [26]
Высота потенциального барьера элементарного акта - реакции определяет наименьшее значение энергии, которой должны обладать реагирующие частицы для того, чтобы осуществилась реакция. Таким образом, она яе совпадает с величиной энергии активации, вычисленной из температурной зависимости скорости реакции. Эта величина, как мы видели, определяется средними величинами, которые могут отличаться от высоты потенциального барьера элементарного акта. [27]
Высота потенциального барьера элементарного акта реакции определяет наименьшее значение энергии, которой должны обладать реагирующие частицы для того, чтобы осуществилась реакция. Таким образом, она е совпадает с величиной энергии активации, вычисленной из температурной зависимости скорости реакции. Эта величина, как мы видели, определяется средними величинами, которые могут отличаться от высоты / потенциального барьера элементарного акта. [28]
Высоту потенциального барьера удобно выражать в единицах напряжения - вольтах. [29]
 |
Зоны разрешенных ( заштрихованы значений. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5