Cтраница 5
При этом высота потенциального барьера уменьшится на с1, н раина ( ( i. [61]
Даже когда высота потенциального барьера на границе зерен практически равна нулю ( как, например, на границе когерентных двойников), такая граница тем не менее может оказаться диффузно рассеивающей поверхностью. Для невырожденного полупроводника справедлива следующая упрощенная модель. [62]
В результате высота потенциального барьера уменьшится и ток / осн возрастет. Следовательно, результирующий ток станет отличен от нуля. При уменьшении высоты барьера ток основных носителей, а следовательно, и результирующий ток, быстро нарастает. Таким образом, в направлении от р-области к n - области р - - переход пропускает ток, сила которого быстро нарастает при увеличении приложенного напряжения. [63]