Высота - потенциальный барьер
Cтраница 4
 |
Зависимость результирующей потенциальной энергии от расстояния между взаимодействующими поверхностями. [46] |
Снижения высоты потенциального барьера, как видно из формулы для определения расклинивающего давления, можно достичь либо увеличением концентрации ионов с в электролите и утонением диффузного слоя 8 у поверхности частиц ( 61 / к), либо уменьшением ( нейтрализацией) потенциала поверхности j) i в результате специфической адсорбции на ней потенциалопределяющих ионов. [47]
 |
Процессы в яр-переходе при наличии обратного напряжения. потоки носителей заряда ( а. потенциальная диаграмма ( б. распределение концентрации электронов и дырок ( в. распределение токов ( г. [48] |
Увеличение высоты потенциального барьера ведет к уменьшению потоков основных носителей 1 и 2 ( чем выше барьер, тем меньше электронов способно преодолеть его), а потоки неосновных носителей 3 и 4 остаются неизменными. [49]
Оценка высоты потенциального барьера для реориентации ионов ТМА дает 8 ккал / моль. Барьер для реориентации метильных групп составляет 5 ккал / моль, что в сравнении с результатами для трихлоромеркурата ТМА ( см. гл. Водородные связи со фтором должны были бы быть, вероятно, сильнее, чем с хлором, хотя непосредственное сравнение барьеров для реориентации одних и тех же групп в соединениях различного строения не является достаточно обоснованным. [50]
Уменьшение высоты потенциального барьера приводит к снижению электрического поля, препятствующего диффузии носителей заряда. Дырки из / ( - области начинают переходить в л-область, а электроны - наоборот. В каждой области появляются избыточные, концентрации неосновных носителей. Процесс нагнетания неосновных носителей заряда в какую-либо область полупроводника называется инжекцией. [51]
Значение высоты потенциального барьера, получаемое из наблюденных значений уровней энергии, сильно зависит от принятой формы потенциальной кривой. Если бы величину расщепления уровней с заданным значением vt можно было измерить экспериментально, то это дало бы нам ценноз средство для проверки формы потенциальной функции. [52]
 |
Изменение потенциального барьера перехода при приложении запирающего напряжения. [53] |
Увеличение высоты потенциального барьера не отражается на величине тока проводимости через переход. Действительно, неосновные носители, достигающие области объемного заряда за счет теплового движения, по-прежнему подхватываются полем и переносятся через переход. Величина этого компонента тока определяется только количеством неосновных носителей, появляющихся на границах области объемного заряда в каждую единицу времени. Это количество зависит только от скорости возникновения неосновных носителей и их концентрации в данном полупроводнике. [54]
На высоту потенциального барьера влияет концентрация примесей. Если увеличить концентрацию, уровень Ферми в области п-типа приблизится к дну зоны проводимости, в области р-типа - к потолку валентной зоны. [55]
На высоту потенциального барьера влияет концентрация примесей. Если увеличить концентрацию, уровень Ферми в области и-типа приблизится к дну зоны проводимости, в области р-типа - к потолку валентной зоны. [56]
 |
Модель вращения звеньев цепи. [57] |
Поэтому высоту потенциального барьера Е0 надо оценивать относительно тех температурных условий, при которых находится полимер. [58]
Тогда высоту равновесного потенциального барьера можно определить по формулам ( 2 - 4), подставляя в них концентрации носителей на тех участках, которые непосредственно прилегают к переходу. [59]
С высотой потенциального барьера ядра для протона или, соответственно, а-чаетицы, то вероятность этих реакций обычно невелика. Она ограничивается проницаемостью барьера. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5