Высота - потенциальный барьер
Cтраница 3
Если высота потенциального барьера V0 - - 0 и К - - 0, то из уравнения (2.31) следует cosxa cos. & и энергия Е могут изменяться непрерывно от нуля до бесконечности. [31]
 |
Накопление неосновных носителей заряда ( дырок вблизи омического перехода между полупроводниками с электропроводностью п-типа при наличии внешнего электрического поля. [32] |
Поэтому высота потенциального барьера на п-п - переходе не зависит от полярности приложенного напряжения и от его значения. Таким образом, м-м - переход ( и р-р - переход) имеет малое сопротивление по сравнению с сопротивлением слаболегированной области и не обладает выпрямляющими свойствами. Переход, электрическое сопротивление которого не зависит от направления тока в заданном диапазоне значений токов, называют омическим переходом. Другой особенностью п-п - пере-хода ( и р-р - перехода) является отсутствие инжекции неосновных носителей заряда в слаболегированную область. Действительно, если внешнее напряжение приложено положительным потенциалом к n - области п-п - перехода, что аналогично прямому включению p - n - перехода, то из п - области в м-область вводятся электроны, которые являются основными носителями заряда. При противоположной полярности дырочный ток из и - области в - область аналогичен обратному току через р-п-пе-реход. Однако из-за ничтожно малой концентрации неосновных носителей заряда в сильнолегированной п - области [ см. (1.19) ] поток дырок в высокоомную n - область также оказывается ничтожно малым. [33]
Поэтому высота потенциального барьера увеличивается и количество электронов и дырок ( а отсюда уменьшение зарядов), пересекающих переход, сокращается. Так как в этом случае переход обладает высоким полным сопротивлением, во внешней цепи течет значительно меньший ток. Таким образом, подобный переход обладает выпрямительными свойствами. Итак, разобрана, по существу, структура полупроводникового диода. Смещение, показанное на фиг. [34]
Если высота потенциального барьера 0 известна, вклад заторможенного вращения симметричного волчка в термодинамические функции может быть рассчитан при любой температуре. Решается и обратная задача: нахождение величины 0 путем сопоставления экспериментальных и вычисленных значений термодинамических функций. Метод состоит в следующем. При расчете термодинамических функций по молекулярным данным учитывают, что наличие внутреннего заторможенного вращения сказывается только на статистической сумме QBp и на соответствующих вкладах в термодинамические функции. Оценка других составляющих ( QnoCT, QKOJI и Q3JI) не представляет никакой специфики. [35]
Здесь высота потенциального барьера для перехода осо-бенно мала и остается такой даже до - 150 С. [36]
 |
Накопление неосновных носителей заряда ( дырок вблизи омического перехода между полупроводниками с электропроводностью я-типа при наличии внешнего электрического поля. [37] |
Поэтому высота потенциального барьера на га-га - переходе не зависит от полярности приложенного напряжения и от его значения. Таким образом, га-га - переход ( и р-р - переход) имеет малое сопротивление по сравнению с сопротивлением слаболегированной области и не обладает выпрямляющими свойствами. Переход, электрическое сопротивление которого не зависит от направления тока в заданном диапазоне значений токов, называют омическим переходом. Другой особенностью п-га - пере-хода ( и р-р - перехода) является отсутствие инжекции неосновных носителей заряда в слаболегированную область. Действительно, если внешнее напряжение приложено положительным потенциалом к - области га-га - перехода, что аналогично прямому включению р-га-перехода, то из п - области в га-область вводятся электроны, которые являются основными носителями заряда. При противоположной полярности дырочный ток из га - области в n - область аналогичен обратному току через р-га-пе-реход. Однако из-за ничтожно малой концентрации неосновных носителей заряда в сильнолегированной п - области [ см. (1.19) ] поток дырок в высокоомную га-область также оказывается ничтожно малым. [38]
Если высота потенциального барьера ио известна, вклад заторможенного вращения симметричного волчка в термодинамические функции может быть рассчитан при любой температуре. Решается и обратная задача: нахождение величины о путем сопоставления экспериментальных и вычисленных значений термодинамических функций. Метод состоит в следующем. При расчете термодинамических функций по молекулярным данным учитывают, что наличие внутреннего заторможенного вращения сказывается только на статистической сумме QBP и на соответствующих вкладах в термодинамические функции. Оценка других составляющих ( QnoOT, Скол и Q3JI) не представляет никакой специфики. [39]
 |
Уменьшение работы выхода с увеличением постоянной решетки для щелочных металлов [ Л. 33 ]. [40] |
Обычно высота потенциального барьера объемного заряда ( рис. 15) на порядок меньше величины высоты потенциального барьера между уровнем Ферми и низшим эмиссионным уровнем, называемым работой выхода. Работа выхода электронов является характерной для твердого тела величиной. Она определяет величину энергии ( при условии пренебрежения объемным зарядом), теряемой электронами, возбужденными с уровня Ферми, при их эмиссии в вакуум. Для большинства твердых тел работа выхода лежит в пределах 1 - 6 эв. [41]
Уменьшение высоты потенциального барьера приводит к тому, что увеличивается число основных носителей заряда через р-п-переход, т.е. усиливается диффузионный ток. [42]
 |
Модель двойного электрического слоя на поверхности металлического кристалла. [43] |
Снижение высоты потенциального барьера по мере увеличения напряженности электрического поля называется эффектом Шотки. [44]
Изменение высоты потенциального барьера под действием внешней разности потенциалов вызывает также явления инжекции и экстракции неосновных носителей. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5