Ион - примесь
Cтраница 2
Рассеяние на ионах примеси, которое называют еще рассеянием Резерфорда, определяется кулоновским взаимодействием между заряженными носителями и ионами примеси. При повышении температуры кинетическая энергия носителей возрастает и рассеяние на ионах примеси ослабевает. Поэтому данный механизм рассеяния преобладает только при низких температурах. Для обычных примесных полупроводников величина Ni определяется из выражений (2.33) и (2.35) для п - и р-типа соответственно. [16]
 |
Спектры поглощения LiNbO3 с примесями Си, Мп, Fe. [17] |
В кислородно-октаэдрических се-гнетоэлектриках ионы примесей замещают собственные ионы, которые находятся в ок-таэдрическом поле атомов кислорода. При возмущении 3rf иона окружающими лигандами вырождение частично снимается. Октаэдрическая симметрия окружающих примесный ион лигандов приводит к расщеплению с. [18]
Ассоциироваться могут также ионы примеси и дислокации. Разрыв химических связей на дислокации позволяет ей выступать в роли акцептора, так как при добавлении электрона заполняется валентная оболочка соседних атомов, что приводит к появлению суммарного отрицательного заряда на дислокации. [19]
Согласно теории ассоциации ион примеси способен двигаться, лишь будучи связанным в парный комплекс с вакансией. Измерения диффузии двухвалентных примесей в кристаллах галогенида щелочных металлов, серебра и др. могут дать информацию о существовании и концентрации комплексов примесь - вакансия в этих кристаллах. Экспериментальная работа должна заключаться в нахождении изотерм диффузии при нескольких температурах. [20]
Если же размер иона примеси меньше, чем размер одноименных ионов кристаллизанта, то окружающие его ионы смещаются к данному узлу. При этом смещение быстро убывает по мере удаления от иона примеси. Второй причиной смещения ионов, окружающих примесь, является различие зарядов одноименных ионов кристаллизанта и примеси. [21]
Степень изменения валентности ионов примеси зависит от относительного расположения энергетических уровней примесных атомов и собственных доноров и акцепторов. [22]
Когда расстояние между ионами примеси становится меньше длины волны электронов, то необходимо рассматривать скорее взаимодействие электрона с примесной решеткой, чем с отдельными ионами примеси. [23]
Другие пары могут содержать ионы примеси; так, ион Са2 и вакансия натрия в NaCl могут быть объединены, если они расположены рядом. [24]
 |
Зависимость подвижности от концентрации примеси при 77 и 300 К. вычисленной по формулам Конуэлл - Вайскопфа ( KB и Брукса - Херринга ( БХ для гипотетического нескомпенсированного полупроводника. [25] |
Взаимодействие носителей заряда с ионом примеси будет зависеть от скорости пролета рассеивающейся частицы около силового центра, и по формуле (6.68) чем меньше скорость, тем сильнее носитель взаимодействует с ионом примеси, так как вероятность рассеяния растет. [26]
Здесь cot - частота обмена иона примеси с вакансией; 2 - частота обмена вакансии с ионами растворителя ( 23Na), входящими в ближайшее соседство ( первую координационную сферу) иона примеси; наконец, k - частота, с которой ассоциированная вакансия обменивается с одним из 7 атомов растворителя, не являющимся ближайшим соседом иона примеси. [27]
Вследствие сильного ослабления кулоновского поля иона примеси следует ожидать, что размеры области локализации связанных состояний донора будут велики по сравнению с постоянной решетки. [28]
Прибавление легкоионизуемой примеси уменьшает число ионов трудноионизуемой примеси [108], но общее число ионов возрастает благодаря ударам второго рода и ионизации атомов примеси электронами. Дополнительная ионизация позволяет осуществить разряд при более низкой электронной температуре. [29]
Кроме того, учитывают, что ион примеси, занимающий узел кристаллической решетки, вызывает радиальное смещение окружающих его ионов по двум причинам. Ионы кристаллизанта, окружающие ион примеси, смещаются вследствие различия размеров одноименных ионов примеси и кристаллизанта. Если размер иона примеси больше размера иона, который занимал бы данный узел в чистом кристалле макрокомпонента, то ионы, окружающие примесь, смещаются от узла, занятого примесью. [30]
Страницы: 1 2 3 4