Ион - примесь
Cтраница 4
Подвижность носителей заряда при рассеянии на ионах примеси определяется величинами трех видов: 1) универсальными константами и числовыми множителями; 2) характеристиками вещества NIt е, Z, т; 3) температурой. [46]
В неоднородных полупроводниках статистические флуктуации в расположении ионов примеси приводят к наличию хаотически распределенного потенциала, модулирующего энергетические зоны. При сильной компенсации амплитуда этого потенциала может быть достаточно большой. Модель искривления зон применяется также для описания свойств аморфных и облученных полупроводников. Люкс-амперная характеристика таких полупроводников линейна лишь при малых интенсивностях света, затем она становится сублинейной и далее переходит на насыщение. С понижением температуры люкс-амперные характеристики становятся более пологими. [47]
Предполагается, что люминесценция связана с наличием ионов примеси, рассеянных по решетке в атомарно-дисперсном состоянии, причем центром люминесценции является сам ион примеси и расположенная около этого иона часть кристалла, где чужеродный ион влияет на основную решетку. В некоторых случаях активация может быть достигнута простым нагреванием фосфора без непосредственного введения примесей. Например, в сульфиде цинка люминесценция может быть обусловлена сверхстехиометрическим избытком цинка, расположенного в виде отдельных атомов в междуузлиях. [48]
 |
Пробеги и дисперсии пробегов ионов В и As с энергией Е0 в SiO.| Значения коэффициента а ( примесь В, маска SiO2 Ослабление пучка QS / Q. [49] |
Аир - средний пробег и дисперсия пробега иона примеси в защитной пленке ( табл. 6.5); а - коэффициент для каждой конкретной пары примесь - защитное покрытие ( табл. 6.6), зависящий от требуемого ослабления пучка падающих ионов QJQ на поверхности полупроводника после прохождения им защитного слоя. [50]
Так как двойной слой образуется в основном ионами примесей, то величина скачка потенциала в нем определяется не только величиной поля ориентированных диполей, но и свойствами и концентрацией примесей в капле. Однако влияние примесей сказывается не только на значение скачка потенциала в двойном электрическом слое ( по измерениям Фрумкина присутствие в воде различных примесей может изменить величину скачка потенциала от 0 02 до 0 1 в [4], в то время как это значение для чистой воды. [51]
При низких температурах передвигаются слабо закрепленные ионы, ионы примесей. При высоких температурах движутся основные ионы кристаллической решетки. Энергия активации носителей тока определяет процесс электропроводности. [52]
Полученные результаты позволяют отметить, что суммарный перенос ионов примесей в рассматриваемых системах носит явно выраженный экспоненциальный характер. [53]
Макс - Отметим, что чем больше концентрация ионов примеси, тем сильнее они взаимно компенсируют поля, тем меньше интегральное сечение рассеяния носителей заряда на них. Пусть N, - 101вслГ3, в этом случае 6макс - 10 - 5 см т S 10 - 10 см2, что намного превосходит величину Sy, взятую нами в § 53 для оценки роли ионов примеси в рассеянии. [54]
 |
Зависимость проводимости жидкого диэлектрика от температуры.| Зависимость величины тока от напряжения в жидком диэлектрике. [55] |
Ток проводимости в твердых диэлектриках обусловливается направленным перемещением ионов примесей и ионов самого диэлектрика. В диэлектриках с атомными и молекулярными решетками ток проводимости обусловлен только ионами различных примесей. У таких диэлектриков ( парафин, полиэтилен, политетрафторэтилен и др.) электропроводность весьма мала, и эти материалы обладают большими значениями удельного объемного и поверхностного сопротивлений: pv 10le - 1018 ом - см; fs - 1015 - 1017 ом. Такими же большими удельными сопротивлениями обладают высокополимерные аморфные диэлектрики: полистирол, полиизобутилен, полипропилен и др., у которых ток проводимости обусловлен преимущественно ионами примесей. [56]
Она означает, что уровни однократно - и двукратнозаряженного иона примеси лежат на различных расстояниях от зоны энергии. Это естественно, поскольку возмущение, вносимое ионом с зарядом 2е, больше, чем возмущение, вносимое ионом с зарядом е, что находится в полном соответствии с выводами общей теории, рассмотренной в предыдущем параграфе. [57]
Страницы: 1 2 3 4