Ион - примесь
Cтраница 3
При этом процессе в результате замещения ионов примесей ионами водорода происходит образование свободной сильной кислоты. [31]
Отметим, что чем больше концентрация ионов примеси, тем сильнее они взаимно компенсируют поля, тем меньше интегральное сечение рассеяния носителей заряда на них. Пусть W / 1016 см-3, в этом случае Ьтах Ю-5 см и S 10 - 10 см2, что намного превосходит величину S /, взятую нами в § 53 для оценки роли ионов примеси в рассеянии. [32]
С увеличением концентрации примесей расстояние между ионами примеси уменьшается, и возникновение взаимодействия между ионами обусловливает расщепление уровней доноров и акцепторов в энергетические зоны конечной ширины. При столь высокой концентрации полупроводник переходит в вырожденное состояние - зона уровней доноров перекрывается с зоной проводимости, а зона уровней акцепторов - с валентной зоной. В вырожденном электронном полупроводнике зона проводимости оказывается заполненной электронами, а у дырочного полупроводника валентная зона заполнена дырками. [33]
Первый метод исключает заражение получаемого СозО4 ионами примесей; второй метод, давая тонкодиспергированный осадок, не исключает возможности некоторого захвата - продуктом посторонних ионов из раствора. [34]
Если примесь ионизирована, то создаваемое ионом примеси электрическое поле распространяется значительно дальше, чем силовое поле, образованное нейтральной примесью. [35]
Если примесь ионизирована, то создаваемое ионом примеси электрическое поле распространяется значительно дальше, чем силовое, поле, образованное нейтральной примесью. [36]
Если примесь ионизирована, то создаваемое ионом примеси электрическое поле распространяется значительно дальше, чем силовое поле, образованное нейтральной примесью. [37]
 |
Схема ионно. [38] |
Энергия связи этого избыточного электрона с ионом примеси мала: W - J H / me2, где е - диэлектрич. [39]
Первый метод исключает заражение получаемого Со3О4 ионами примесей; второй метод, давая тонкодиспергированный осадок, не исключает возможности некоторого захвата продуктом посторонних ионов из раствора. [40]
 |
Температурные зависимости подвижности электронов ( цп, сплошные линии и дырок ( Рф, пунктирные линии в Si. Параметр - концентрация электронов ( JVa и дырок ( Wa. [41] |
Поэтому практически трудно избежать рассеяния на ионах примеси и приходится создавать приборы с пониженной подвижностью носителей. Метод селективного легирования состоит в следующем. Легирующую примесь вводят только в слой Al Gai - As, как показано на рис. 2.22. Электроны, поступающие в кристалл при ионизации примеси, размещаются вдоль границы гетероперехода со стороны GaAs, поскольку потенциал для электронов у GaAs ниже, чем у AlxGai: As. При этом электроны отделяются от ионизированной примеси, что затрудняет их рассеяние на ионах примеси. Поэтому в такой структуре подвижность граничных электронов не уменьшается. Граничные электроны здесь образуют двумерный электронный газ. [42]
 |
Зависимость подвижности. [43] |
По мере повышения температуры рассеяние на ионах примеси уменьшается. Однако тепловые колебания кристаллической решетки при этом увеличиваются. Возрастает, очевидно, и роль их в механизме рассеяния свободных носителей. [44]
Подвижность носителей заряда при рассеянии на ионах примеси определяется величинами трех видов: 1) универсальными константами и числовыми множителями; 2) характеристиками вещества JVi, e, Z, т; 3) температурой. [45]
Страницы: 1 2 3 4