Га-область

Cтраница 1

Схема включения триода для усиления колебаний напряжения. Подаваемые на вход ( слева слабые колебания напряжения повторяются с большей амплитудой на сопротивлении R. [1]

Узкая га-область ( порядка 1 мкм) разделяет две р-области кристалла. Эти области кристалла имеют самостоятельные выводы э, б и к для включения в цепь. На схеме видно, что в транзисторе имеются два р - л-перехода. Соединив выводы э и 6 с внешней цепью, можно подать напряжение на левый р - га-переход, а через выводы б и к - на правый. [2]

Распределение концентрации примесей и свободных зарядов в полупроводнике с резким изменением проводимости ( NdNa. [3]

В га-области ( при х 0) плотность объемного заряда положительна, а в р-области ( при х 0) - отрицательна. [4]

Часть га-области, непосредственно прилегающая к границе полупроводников с разными типами электропроводности, заряжается положительно, а часть р-области - отрицательно. Вследствие этого между р - и - областями возникает некоторая разность потенциалов - потенциальный барьер. [5]

При освещении га-области фотодиода ( рис. 4.69, а) в тонком приповерхностном слое на расстоянии W от р-ге-перехода возникают неравновесные дырки. [6]

В результате этого га-область заряжается отрицательно, а р-область положительно. Возникает фотоэдс, приложенная в пропускном направлении, поэтому высота барьера уменьшается и возникает ток в пропускном направлении, созданный потоком электронов из га-области ври дырок из р-области в га. Поэтому суммарный электронный поток из р-области уменьшается, а дырочный поток увеличивается. [7]

Схемы подачи питания на электроды транзисторов р-п - р и п-р - п с условными обозначениями выводов. [8]

Если же к га-области присоединить минус, а к р-области - плюс внешнего источника напряжения, то дырки, внедряющиеся из р-области в га-область, легко будут компенсироваться электронами, поступающими из внешней цепи от присоединенного к га-области отрицательного полюса источника, а электроны, переходящие из га-области в р-область, будут уходить к присоединенному к р-области положительному полюсу источника. [9]

Вблизи перехода в га-области положительные ионы донорной примеси, заряд которых теперь не компенсируется электронами, образуют положительный пространственный заряд. Соответственно в р-области отрицательные ионы акцепторной примеси, заряд которых теперь не компенсируется дырками, образуют отрицательный пространственный заряд. Таким образом возникает контактная разность потенциалов - потенциальный барьер, препятствующий дальнейшей диффузии основных носителей. [10]

Результирующий же ток в га-области ttp tn при этом остается всюду постоянным. [11]

Если подвижность электронов в га-области близка к их подвижности в / ьобласти - ип, а подвижность дырок в - области не отличается от их подвижности в га-обла-сти - ир и диффузионные длины элек ронов и дырок отличаются не сильно, то отношение электронного тока к дырочному практически равно отношению проводимо-стей п - и р-областей ап и о р и определяется отношением концентраций основных носителей в этих областях. Если, например, проводимость - области намного превышает проводимость га-области, то ток через р - га-переход переносится в основном дырками. [12]

Так как диффузия электронов из га-области в р-область идет против сил поля двойного слоя, то энергия электронов в р-области повышается. На потенциальной диаграмме ( рис. IX-6, б) это изображается сдвигом всех уровней в р-области вверх, в сторону повышения потенциала электронов. [13]

Связанный с ними заряд в га-области практически мгновенно рассасывается и исчезает за счет ухода носителей во внешнюю цепь. В выделенном объеме Ln появляется, таким образом Lnnp0 / rn электронов в секунду. [14]

При обратном напряжении смещения V ( га-область находится под положительным потенциалом относительно р-области) потенциальный барьер возрастает до величины е ( ф У) - Толщина обедненного слоя увеличивается, и через переход может идти небольшой ток. Таким образом, р - n - переход обнаруживает выпрямляющие свойства. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5