Га-область

Cтраница 4

Концентрация дырок в р-области ( основных носителей) намного выше, чем в га-области, поэтому дырки вследствие диффузии переходят в га-область, стремясь выровнять концентрацию во всем объеме полупроводника. [46]

Одновременно с процессом диффузии дырок из р-области в га-область происходит диффузия электронов из га-области в р-об-ласть и их количество в га-области у границы раздела уменьшится. Кроме того, перешедшие из р-области дырки частично прореком-бинируют с имеющимися около границы в га-области электронами. В результате этих двух процессов концентрация электронов га-области у границы уменьшится, и заряд их уже не скомпенсирует положительного заряда неподвижных ионов донорных примесей. [47]

Na - Nd Nd, то практически весь слой объемного заряда лежит в га-области. [48]

По соотношению концентраций основных носителей заряда или соответствующих примесей в р - и га-областях различают симметричные и несимметричные p - n - переходы. Для несимметричных р-п-переходов справедливо неравенство рро п о ( или гап0 рро) - В полупроводниковых приборах обычно существуют несимметричные р-га-переходы. [49]

Однако одновременно потенциальный барьер ускоряет движение неосновных носителей: электронов из р - в га-область и дырок из га - в р-область. Это движение, создающее тепловой ток / о, охватывает все неосновные носители, расположенные в-близи перехода и постоянно генерируемые в полупроводнике. [50]

Эквивалентная схема р-и-перехода по переменному напряжению. [51]

Емкость Ср связана с накоплением заряда - дырок и компенсирующих их электронов в объеме га-области. [52]

Расчет выполнен в предположении квазинейтральности и линейности малого уровня инжекции в р - и га-областях, высокого - в / - области, отсутствия прилипания, равномерного распределения примеси в нейтральных областях и ступенчатого в слое объемного заряда переходов. Анализ, естественно, различен в зависимости от того, описывается ли распределение носителей в / - области дрейфовой [1, 2] или диффузионной [3-7] теорией двойной инжекции. [53]

Наконец, следует помнить, что не все электроны, перешедшие из р - в га-область, проходят далее во внешнюю цепь. [54]

Инжекция дырок не нарушает электрической нейтральности я-области, так как она сопровождается одновременным поступлением в га-область из внешней цепи точно такого же количества электронов. [55]

Генерируемые светом в р-области электроны диффундируют от поверхности и, достигая р-га-перехода, сваливаются в га-область. Дырки, достигшие р-га-пере-хода, не могут преодолеть потенциальный барьер и остаются в р-области. [56]

Туннельный пробой. [57]

На рис. 1.15 а показан случай, когда напряжение таково, что дно зоны проводимости га-области опустилось немного ниже валентной зоны р-области. В более общем случае ( рис. 1.15 5) ширину потенциального барьера, который необходимо преодолеть электрону из валентной зоны, можно записать ( при V i ( pK) как а d ( Eg / qV) ( Eg / qE), где Е V / d - напряженность электрического поля в р-га-переходе. [58]

Пусть теперь Пхпп пп, что равносильно утверждению, что концентрация инжектированных дырок из р-области в га-область много меньше, чем концентрация электронов, нормально присутствующих в - области. [59]

Поскольку концентрация примеси и, следовательно, носителей заряда в р-области значительно выше, чем в га-области, ток через переход переносится в основном дырками. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5