Га-область

Cтраница 3

Таким образом, высота энергетического барьера между р - и га-областями существенно влияет на количество носителей заряда, способных осуществить диффузионный переход в соседнюю область. С повышением высоты барьера это количество экспоненциально уменьшается, со снижением - увеличивается. [31]

Вследствие диффузии положительные заряды ( дырки) из р-области направляются в га-область, а свободные электроны движутся в обратном направлении. Объемные заряды создают электрические поля и между р - и - областями появляются разности потенциалов или потенциальные барьеры, которые препятствуют дальнейшей диффузии зарядов. В конечном счете ток через, границы раздела р - и га-областей прекращается. На рис. 11 - 12 6 показано распределение потенциала, которое устанавливается вдоль триода, когда он не присоединен к внешней цепи. [32]

Таким образом, может диффундировать большее число дырок из р-области в га-область и большее число электронов из га-области в р-область. Толщина обедненного слоя уменьшается, и через переход идет большой ток. [33]

При этом пары могут создаваться как первичными дырками, идущими из га-области, так и вторичными электронами и дырками, рожденными в самом р - п-переходе. [34]

Принцип действия ( а и схема питания фотодиода ( б. [35]

При освещении фотодиода ( рис. 5 - 1) на границе га-области возникают пары электрон - дырка. [36]

Только теперь электроны туннелируют из валентной зоны р-области в зону проводимости га-области. Туннельный диод обладает относительно высокой проводимостью при обратном напряжении. Можно считать, что у туннельного диода при ничтожно малых обратных напряжениях происходит туннельный пробой. [37]

Поток излучения Ф - мощность излучения, приходящаяся на всю поверхность га-области полупроводника. [38]

Принципиальные схемы и схемы замещения электростатических преобразователей. [39]

В качестве электростатических преобразователей используются также запертые р-п переходы: р-п и га-области играют роль пластин, разделенных обедненным слоем, ширина 6 которого возрастает при увеличении запирающего напряжения. [40]

Аналогичное явление происходит в р-области полупроводника: диффузия некоторого количества дырок в га-область и уменьшение их концентрации вблизи границы соприкосновения вследствие рекомбинации с пришедшими из га-области электронами уменьшит концентрацию дырок в р-области вблизи границы раздела. [41]

Потенциальный барьер при этом еще более увеличивается, так что ток из га-области падает ниже / о. Легко видеть, что формула ( 16) и в этом случае правильно описывает величину тока, проходящего через п - р-переход. При ист 0 этот ток меняет направление. [42]

Знак соответствует случаю, когда при / - И) ин-жекция в га-область преобладает, знак - , если преобладает инжекция в р-слой. [43]

Таким образом, левый р - га переход с прямым током поставляет в га-область носители тока - эмиттирует их, и потому называется эмиттерным. Правый р - га переход собирает инжектированные в га-область носители тока и называется коллекторным. Общая га-область называется базой. [44]

Как видим, концентрация инжектированных дырок зависит только от равновесной плотности дырок в га-области и приложенного напряжения и не зависит от параметров р-области. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5