Га-область

Cтраница 2

Принципиаль - [ IMAGE ] Изменение выход.| Схема мультивибратора с экспоненц. элементом. [16]

EKf - - напряженности поля в га-области; k - постоянная Больцмана; Т - темп - pa; q - заряд электрона; Lp - диффузионная длина неосновных носителей заряда - дырок. [17]

Принцип действия ( а и схема питания фотодиода ( б. [18]

При этом необходимо, чтобы толщина га-области / была меньше диффузионной длины, что обеспечивает попадание дырок в р-область до их рекомбинации. Возрастание количества неосновных носителей вызывает добавочное падение напряжения на нагрузке. [19]

В случае равновесия диффузия дырок из р-области в га-область должна точно уравновешивать дрейф дырок ( за счет поля области перехода) из л-области в р-область. [20]

В условиях низкого уровня инжекции электрическое поле в га-области очень мало. Поэтому члены уравнения ( 9 - 111), содержащие §, положим равными нулю. [21]

Одновременно с процессом диффузии дырок из р-области в га-область происходит диффузия электронов из га-области в р-об-ласть и их количество в га-области у границы раздела уменьшится. Кроме того, перешедшие из р-области дырки частично прореком-бинируют с имеющимися около границы в га-области электронами. В результате этих двух процессов концентрация электронов га-области у границы уменьшится, и заряд их уже не скомпенсирует положительного заряда неподвижных ионов донорных примесей. [22]

В условиях низкого уровня инжекции электрическое поле в га-области очень мало. Поэтому члены уравнения ( 9 - 111), содержащие §, положим равными нулю. [23]

В результате на границе раздела р - и га-областей возникает устойчивый потенциальный барьер, характеризующийся динамическим равновесием сил диффузии носителей и встречного поля. [24]

В диоде без внешнего напряжения существует туннелирование электронов из га-области в р-область и обратно. [25]

При этом сильное поле будет затягивать носители в глубь га-области, и поэтому даже при d ( 2 - 4 - 3) Ln сопротивление гг-области может сильно понизиться. В этих условиях во всей га-области, кроме узких участков вблизи р - га-переходов и вблизи тылового контакта, омический ток значительно превышает диффузионный и последним можно пренебречь. [26]

Схема для измерения. [27]

Дополнительный объемный заряд появляется за счет обеднения р - и га-области свободными носителями. [28]

Зонная диаграмма, поясняющая процесс образования избыточного тока.. - ширина запрещенной зоны. § / [, Sd - локальные ( дискретные уровни.. р. [29]

Локальный уровень S d лежит гораздо ниже уровня Ферми в га-области, и свободное локальное состояние заполняется очень быстро. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5