Ионизация - донор
Cтраница 1
Ионизация донора соответствует переходу электрона с уровня донора в зону проводимости, а ионизация акцептора соответствует переходу электрона из валентной зоны на уровень акцептора с образованием дырки в валентной зоне. [1]
 |
Основные характеристики некоторых элементарных полупроводников. [2] |
Энергия ионизации доноров: для Sb W7, - 0 0096 эв; энергия активации акцепторов: для Ga и In Wa 0 011 эв. [3]
Энергия ионизации доноров и акцепторов мала. [4]
Энергии ионизации доноров в InSb и InAs очень малы и не превышают 0 001 эв; в других соединениях энергия ионизации несколько больше. [5]
Под энергией ионизации донора понимают минимальную энергию, которую необходимо сообщить электрону, находящемуся на донорном уровне, чтобы перевести его в зону проводимости. [6]
Под энергией ионизации донора понимают минимальную энергию, которую необходимо сообщить электрону, находящемуся на донор-ном уровне, чтобы перевести его в зону проводимости. [7]
Рассмотрим энергию ионизации доноров в соединениях A111 Bv. Их диэлектрическая проницаемость имеет величину того же порядка, что и диэлектрическая проницаемость германия и кремния ( табл. 3), поэтому, казалось бы, энергия ионизации примеси должна быть для них того же порядка. Однако опыт показывает, что в ряде случаев она значительно меньше. Причину этого легко понять, если учесть, что для германия и кремния отношение т / т близко к единице, в то время как в соединениях A111 Bv m / m ( табл. 7), как правило, много меньше единицы, благодаря чему Е1 может составлять сотые и даже тысячные доли электронвольта. В табл. 4 приведены Е примеси в соединениях A111 Bv и указаны радиусы первой боровской орбиты ах в ангстремах. Малый энергетический зазор между зоной и донорным уровнем является характерной особенностью некоторых соединений A111 Bv. В обычных условиях этот зазор в них экспериментально не обнаруживается. [8]
 |
Модель кристаллической решетки примесного полупроводника. [9] |
Наряду с ионизацией доноров в кристалле происходит обычная термогенерация пар носителей электрических зарядов: электронов и дырок. [10]
Зт - потенциал ионизации донора; Е - сродство к электрону акцептора; Q - величина, как правило, мало зависящая от природы компонент. Варьируя доноры при постоянном акцепторе или наоборот, можно с помощью (4.4) найти входящие в него энергетические параметры взаимодействующих молекул. [11]
В арсениде индия энергию ионизации доноров определить не удалось; однако, исходя из того, что примесная зона сливается с зоной проводимости при концентрациях доноров, превышающих примерно 1016 см-3 [49] ( а измерения на более чистом материале не проводились), следует ожидать, что энергию ионизации доноров можно определить. [12]
Чем меньше разность потенциала ионизации донора и сродства к электрону акцептора, тем больше должна быть скорость реакции. Зависимости такого рода действительно были получены, однако они не носят универсального характера. [13]
Найти: а) энергию ионизации доноров, б) радиус орбиты в основном состоянии, в) при какой минимальной концентрации доноров станут заметны эффекты, связанные с перекрытием орбит соседних примесных атомов. [14]
 |
Зависимость силы Фототока от leMiiepaijpbi дли пи. Шдифенилдиацеш. чена при освещении светом с различной длиной волны. [15] |
Страницы: 1 2 3 4