Ионизация - примесь
Cтраница 1
Ионизация примесей, потенциал ионизации которых существенно ниже, чем у N0 ( таких, как металлы, особенно из группы щелочных и щелочноземельных), может коренным образом повлиять на распределение концентрации электронов в следе. Однако примеси с потенциалом ионизации, равным или превышаю щим первый потенциал ионизации NO, который составляет 9 25 эв ( например, большинство неметаллических элементов и органических соединений, или элементов с высоким электронным сродством, как галогены), не изменяют распределения концентрации электронов. [1]
Энергия ионизации примесей в кремнии убывает от 0.08 эл. [2]
Процессы ионизации примеси будут описаны с помощью квазихимических уравнений, в которые входят условные обозначения природы, местоположения и зарядности атомов примеси. Применение этих уравнений позволяет уточнить условия, при которых может проявиться электрическая активность примесей, введенных в кристалл полупроводникового материала. Никогда не имеют дело с материалами, содержащими только один вид ионизирующегося дефекта; в любом кристалле, очищенном практически ДСР возможного предела, всегда содержатся как остаточные примес, так и термически равновесные точечные дефекты ( все атомные. Поэтому в кристалла полупроводников устанавливаются сложные взаимодействия между всеми заряженными дефектами и носителями зарядов. [3]
 |
Равновесное распределение концентрации носителей заряда ( а и объемного заряда ( б по обе стороны от границы раздела р - и л-областей. [4] |
Энергии ионизации примесей, применяемых для легирования германия и кремния, имеют величины 0 01 - 0 05 эВ, и при комнатной температуре примеси можно считать полностью ионизированными. [5]
Уменьшение энергии ионизации примесей и ширины запрещенной зоны при больших уровнях легирования было установлено экспериментально для значительного числа полупроводников. Однако удовлетворительная теоретическая интерпретация экспериментальных данных такого рода пока еще не достигнута. [6]
Изменение энергии ионизации примеси при увеличении ее концентрации объясняется тем, что с ростом Nn расстояние между примесными атомами уменьшается и взаимодействие между ними растет. При достаточно высокой Nn это взаимодействие становится столь значительным, что примесный уровень ( рис. 6.7, б) размывается в примесную зону ( рис. 6.7, в), ширина которой увеличивается по мере сближения атомов. Уровень Ферми у таких полупроводников находится в зоне проводимости, и состояния у дна зоны заселены практически полностью ( / ( Е) 1), как у металлов. [8]
 |
Зависимость удельного сопротивления германия типа п от температуры при различных концентрациях доноров. [9] |
По мере ионизации примесей наклон кривой уменьшается, и при полной ионизации получается почти горизонтальный участок. [10]
Экспериментальные значения энергий ионизации примесей в германии лишь в 1 5 - 2 раза превышают расчетное, что, безусловно, является хорошим результатом для такой грубой оценки. [11]
Далее, энергия ионизации примеси уменьшается в е2 раз по сравнению с энергией ионизации атома водорода. [12]
 |
Энергетические спектры элек-тронного и дырочного полупроводников. [13] |
Пропорциональность между энергией ионизации примеси Q и 1 / s2 оправдывается на опыте довольно широко, и эта закономерность дает правильный порядок Q. В частности, опыт показывает, что закон зависимости Q и 1 / s 2 от температуры одинаков. [14]
Проводимость, обусловленная ионизацией примесей, называется примесной проводимостью. [15]
Страницы: 1 2 3 4